Напряжение пробоя коллектора-эмиттера Формула

Fx Копировать
LaTeX Копировать
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер — это напряжение между выводами коллектора и эмиттера биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора. Проверьте FAQs
Vce=Vcb(ig)1n
Vce - Напряжение пробоя коллектор-эмиттер?Vcb - Напряжение пробоя базы коллектора?ig - Текущий прирост BJT?n - Корневой номер?

Пример Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Напряжение пробоя коллектора-эмиттера выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Напряжение пробоя коллектора-эмиттера выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Напряжение пробоя коллектора-эмиттера выглядит как.

2.1036Edit=3.52Edit(2.8Edit)12Edit
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category Инженерное дело » Category Электроника » Category Интегральные схемы (ИС) » fx Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Напряжение пробоя коллектора-эмиттера?

Первый шаг Рассмотрим формулу
Vce=Vcb(ig)1n
Следующий шаг Заменить значения переменных
Vce=3.52V(2.8V)12
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
Vce=3.52(2.8)12
Следующий шаг Оценивать
Vce=2.10360235242853V
Последний шаг Округление ответа
Vce=2.1036V

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера Формула Элементы

Переменные
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер — это напряжение между выводами коллектора и эмиттера биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора.
Символ: Vce
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Напряжение пробоя базы коллектора
Напряжение пробоя базы коллектора — это максимальное напряжение между выводами коллектора и базы биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора.
Символ: Vcb
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Текущий прирост BJT
Коэффициент усиления по току BJT используется для описания свойств усиления транзистора. Он показывает, насколько ток коллектора усиливается по отношению к току базы.
Символ: ig
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Корневой номер
Корневое число представляет собой константу или коэффициент, связанный с транзистором.
Символ: n
Измерение: NAЕдиница: Unitless
Примечание: Значение должно быть больше 0.

Другие формулы в категории Изготовление биполярных ИС

​Идти Примеси с собственной концентрацией
ni=nepto
​Идти Омическая проводимость примесей
σ=q(μnne+μpp)
​Идти Проводимость N-типа
σ=q(μnNd+μp(ni2Nd))
​Идти Проводимость P-типа
σ=q(μn(ni2Na)+μpNa)

Как оценить Напряжение пробоя коллектора-эмиттера?

Оценщик Напряжение пробоя коллектора-эмиттера использует Collector Emitter Breakout Voltage = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер) для оценки Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, Напряжение пробоя коллектора-эмиттера является критическим параметром в биполярных транзисторах (BJT). Оно представляет собой максимальное напряжение, которое можно приложить между выводами коллектора и эмиттера транзистора, не вызывая пробоя или лавинного эффекта. Это важная характеристика, обеспечивающая правильную и безопасную работу транзистора. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер обозначается символом Vce.

Как оценить Напряжение пробоя коллектора-эмиттера с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Напряжение пробоя коллектора-эмиттера, введите Напряжение пробоя базы коллектора (Vcb), Текущий прирост BJT (ig) & Корневой номер (n) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

По какой формуле можно найти Напряжение пробоя коллектора-эмиттера?
Формула Напряжение пробоя коллектора-эмиттера выражается как Collector Emitter Breakout Voltage = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер). Вот пример: 2.103602 = 3.52/(2.8)^(1/2).
Как рассчитать Напряжение пробоя коллектора-эмиттера?
С помощью Напряжение пробоя базы коллектора (Vcb), Текущий прирост BJT (ig) & Корневой номер (n) мы можем найти Напряжение пробоя коллектора-эмиттера, используя формулу - Collector Emitter Breakout Voltage = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер).
Может ли Напряжение пробоя коллектора-эмиттера быть отрицательным?
Нет, Напряжение пробоя коллектора-эмиттера, измеренная в Электрический потенциал не могу, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Напряжение пробоя коллектора-эмиттера?
Напряжение пробоя коллектора-эмиттера обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Напряжение пробоя коллектора-эмиттера.
Copied!