Оценщик Напряжение пробоя коллектора-эмиттера использует Collector Emitter Breakout Voltage = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер) для оценки Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, Напряжение пробоя коллектора-эмиттера является критическим параметром в биполярных транзисторах (BJT). Оно представляет собой максимальное напряжение, которое можно приложить между выводами коллектора и эмиттера транзистора, не вызывая пробоя или лавинного эффекта. Это важная характеристика, обеспечивающая правильную и безопасную работу транзистора. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер обозначается символом Vce.
Как оценить Напряжение пробоя коллектора-эмиттера с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Напряжение пробоя коллектора-эмиттера, введите Напряжение пробоя базы коллектора (Vcb), Текущий прирост BJT (ig) & Корневой номер (n) и нажмите кнопку расчета.