FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны Формула

ИдтиТехнологическая крутизна с учетом крутизны и тока стока Формула

ИдтиТранскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора. Проверьте FAQs

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

k'_n - Параметр крутизны процесса?g_m - крутизна?WL - Соотношение сторон?V_gs - Напряжение затвор-исток?V_th - Пороговое напряжение?

Пример MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны выглядит как с единицами.

Вот как уравнение MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны выглядит как.

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

0.0156A/V² = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны?

Первый шаг Рассмотрим формулу

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

k' n = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

k' n = \frac{0.0005S}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

k' n = \frac{0.0005}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

Следующий шаг Оценивать

∴

k' n = 0.015625A/V²

Последний шаг Округление ответа

∴

k' n = 0.0156A/V²

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны Формула Элементы

Переменные

Параметр крутизны процесса

Символ: k'_n

Измерение: Параметр крутизныЕдиница: A/V²

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Параметр крутизны процесса

крутизна

Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.

Символ: g_m

Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: mS

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска крутизна

Соотношение сторон

Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником

Символ: WL

Измерение: NAЕдиница: Unitless

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Соотношение сторон

Напряжение затвор-исток

Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.

Символ: V_gs

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение затвор-исток

Пороговое напряжение

Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.

Символ: V_th

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Пороговое напряжение

Другие формулы для поиска Параметр крутизны процесса

Идти Технологическая крутизна с учетом крутизны и тока стока

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

Идти Транскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

Другие формулы в категории крутизна

Идти Ток стока с использованием крутизны

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

Идти Крутизна тока стока

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

Идти Крутизна заданного параметра крутизны процесса

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

Идти Транскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

Узнать больше OpenImg

Как оценить MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны?

Оценщик MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны использует Process Transconductance Parameter = крутизна/(Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)) для оценки Параметр крутизны процесса, Коэффициент крутизны полевого МОП-транзистора с использованием параметра технологической крутизны представляет собой изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвор/исток при постоянном напряжении сток/исток. Параметр крутизны процесса обозначается символом k'_n.

Как оценить MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны, введите крутизна (g_m), Соотношение сторон (WL), Напряжение затвор-исток (V_gs) & Пороговое напряжение (V_th) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны

По какой формуле можно найти MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны?

Формула MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны выражается как Process Transconductance Parameter = крутизна/(Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)). Вот пример: 0.015625 = 0.0005/(0.1*(4-3.68)).

Как рассчитать MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны?

С помощью крутизна (g_m), Соотношение сторон (WL), Напряжение затвор-исток (V_gs) & Пороговое напряжение (V_th) мы можем найти MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны, используя формулу - Process Transconductance Parameter = крутизна/(Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)).

Какие еще способы расчета Параметр крутизны процесса?

Вот различные способы расчета Параметр крутизны процесса-

Process Transconductance Parameter=Transconductance^2/(2*Aspect Ratio*Drain Current)
Process Transconductance Parameter=Transconductance/(Aspect Ratio*Overdrive Voltage)

Может ли MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны быть отрицательным?

Да, MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны, измеренная в Параметр крутизны может, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны?

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны обычно измеряется с использованием Ампер на квадратный вольт[A/V²] для Параметр крутизны. Миллиампер на квадратный вольт[A/V²], Микроампер на квадратный вольт[A/V²] — это несколько других единиц, в которых можно измерить MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны Формула

​ИдтиТехнологическая крутизна с учетом крутизны и тока стока Формула

​ИдтиТранскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки Формула

Пример MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны Решение

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны Формула Элементы

Другие формулы для поиска Параметр крутизны процесса

Другие формулы в категории крутизна

Как оценить MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны?

FAQs на MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны

Variable Name

ИдтиТехнологическая крутизна с учетом крутизны и тока стока Формула

ИдтиТранскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки Формула