FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Ширина зоны истощения Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Ширина области обеднения — это область полупроводникового устройства, в которой нет свободных носителей заряда. Проверьте FAQs

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot N d}) \cdot (V i - V g)}

x_depl - Ширина области истощения?N_d - Плотность легирования?V_i - Потенциальный барьер Шоттки?V_g - Напряжение затвора?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?[Charge-e] - Заряд электрона?

Пример Ширина зоны истощения

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Ширина зоны истощения выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Ширина зоны истощения выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Ширина зоны истощения выглядит как.

0.0002 = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+22}) \cdot (15.9 - 0.25)}

0.0002m = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

0.0002 = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+22}) \cdot (15.9 - 0.25)}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Теория СВЧ » fx Ширина зоны истощения

Ширина зоны истощения Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Ширина зоны истощения?

Первый шаг Рассмотрим формулу

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot N d}) \cdot (V i - V g)}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+281/m³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+28}) \cdot (15.9 - 0.25)}

Следующий шаг Оценивать

∴

x depl = 0.000159363423174517m

Последний шаг Округление ответа

∴

x depl = 0.0002m

Ширина зоны истощения Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Ширина области истощения

Ширина области обеднения — это область полупроводникового устройства, в которой нет свободных носителей заряда.

Символ: x_depl

Измерение: ДлинаЕдиница: m

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Ширина области истощения

Плотность легирования

Плотность легирования относится к концентрации атомов легирующей примеси в полупроводниковом материале. Легирующие примеси — это атомы примесей, которые намеренно вводятся в полупроводник.

Символ: N_d

Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Плотность легирования

Потенциальный барьер Шоттки

Потенциальный барьер Шоттки действует как барьер для электронов, а высота барьера зависит от разницы работ выхода между двумя материалами.

Символ: V_i

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Потенциальный барьер Шоттки

Напряжение затвора

Напряжение затвора — это напряжение, возникающее на переходе затвор-исток транзистора JFET.

Символ: V_g

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение затвора

Диэлектрическая проницаемость кремния

Диэлектрическая проницаемость кремния измеряет его способность хранить электрическую энергию в электрическом поле, что жизненно важно в полупроводниковой технологии.

Символ: [Permitivity-silicon]

Ценить: 11.7

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

sqrt

Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории клистрон

Идти Электропроводность при нагрузке на балку

G b = G - (G L + G cu)

Идти Потери меди в полости

G cu = G - (G b + G L)

Идти Проводимость полости

G = G L + G cu + G b

Идти Параметр группировки клистрона

X = \frac{β i \cdot V in \cdot θ o}{2 \cdot V o}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Ширина зоны истощения?

Оценщик Ширина зоны истощения использует Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Плотность легирования))*(Потенциальный барьер Шоттки-Напряжение затвора)) для оценки Ширина области истощения, Формула ширины зоны истощения определяется как область в полупроводниковом устройстве, где нет свободных носителей заряда. Это зависит от уровня легирования полупроводникового материала, напряжения на затворе и физических размеров устройства. Ширина области истощения обозначается символом x_depl.

Как оценить Ширина зоны истощения с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Ширина зоны истощения, введите Плотность легирования (N_d), Потенциальный барьер Шоттки (V_i) & Напряжение затвора (V_g) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Ширина зоны истощения

По какой формуле можно найти Ширина зоны истощения?

Формула Ширина зоны истощения выражается как Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Плотность легирования))*(Потенциальный барьер Шоттки-Напряжение затвора)). Вот пример: 0.000159 = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25)).

Как рассчитать Ширина зоны истощения?

С помощью Плотность легирования (N_d), Потенциальный барьер Шоттки (V_i) & Напряжение затвора (V_g) мы можем найти Ширина зоны истощения, используя формулу - Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Плотность легирования))*(Потенциальный барьер Шоттки-Напряжение затвора)). В этой формуле также используются функции Диэлектрическая проницаемость кремния, Заряд электрона, константа(ы) и Функция квадратного корня.

Может ли Ширина зоны истощения быть отрицательным?

Нет, Ширина зоны истощения, измеренная в Длина не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Ширина зоны истощения?

Ширина зоны истощения обычно измеряется с использованием Метр[m] для Длина. Миллиметр[m], километр[m], Дециметр[m] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Ширина зоны истощения.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Ширина зоны истощения Формула

Пример Ширина зоны истощения

Ширина зоны истощения Решение

Ширина зоны истощения Формула Элементы

Другие формулы в категории клистрон

Как оценить Ширина зоны истощения?

FAQs на Ширина зоны истощения

Variable Name