Оценщик Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей использует Emitter Current = Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(-Тепловая равновесная концентрация/Ширина базового соединения) для оценки Ток эмиттера, Ток эмиттера за счет концентрации неосновных носителей заряда — это ток, проходящий через эмиттер из-за неосновных носителей заряда, т. е. электронов. Ток эмиттера обозначается символом Ie.
Как оценить Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей, введите Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер (AE), Электронная диффузия (Dn), Тепловая равновесная концентрация (npo) & Ширина базового соединения (Wbase) и нажмите кнопку расчета.