FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS Формула

ИдтиТок, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора Формула

ИдтиТок, поступающий в сток-источник в области триода NMOS Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Ток стока в NMOS - это электрический ток, протекающий от стока к истоку полевого транзистора (FET) или полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Проверьте FAQs

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ds)}^{2}

I_d - Ток стока в NMOS?k'_n - Параметр крутизны процесса в NMOS?W_c - Ширина канала?L - Длина канала?V_ds - Напряжение источника стока?

Пример Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS выглядит как.

236.883 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.43)}^{2}

236.883mA = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.43V)}^{2}

236.883 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.43)}^{2}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS

Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS?

Первый шаг Рассмотрим формулу

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ds)}^{2}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.43V)}^{2}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot {(8.43V)}^{2}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot {(8.43)}^{2}

Следующий шаг Оценивать

∴

I d = 0.236883A

Последний шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

I d = 236.883mA

Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS Формула Элементы

Переменные

Ток стока в NMOS

Ток стока в NMOS - это электрический ток, протекающий от стока к истоку полевого транзистора (FET) или полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET).

Символ: I_d

Измерение: Электрический токЕдиница: mA

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Ток стока в NMOS

Параметр крутизны процесса в NMOS

Параметр крутизны процесса в NMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.

Символ: k'_n

Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: mS

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Параметр крутизны процесса в NMOS

Ширина канала

Ширина канала относится к количеству полосы пропускания, доступной для передачи данных в канале связи.

Символ: W_c

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Ширина канала

Длина канала

Длина канала может быть определена как расстояние между его начальной и конечной точками и может сильно варьироваться в зависимости от его назначения и местоположения.

Символ: L

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Длина канала

Напряжение источника стока

Напряжение источника стока — это электрический термин, используемый в электронике и, в частности, в полевых транзисторах. Это относится к разнице напряжений между выводами стока и истока полевого транзистора.

Символ: V_ds

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Напряжение источника стока

Другие формулы для поиска Ток стока в NMOS

Идти Ток, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Идти Ток, поступающий в сток-источник в области триода NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Идти Текущий вход в сток-источник в области насыщения NMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

Идти Ток стока, когда NMOS работает как источник тока, управляемый напряжением

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

Узнать больше OpenImg

Другие формулы в категории Улучшение N-канала

Идти Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS

v d = μ n \cdot E L

Идти NMOS как линейное сопротивление

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Идти Ток, поступающий в сток-исток в области насыщения NMOS при заданном эффективном напряжении

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ov)}^{2}

Идти Положительное напряжение при заданной длине канала в NMOS

V = V A \cdot L

Узнать больше OpenImg

Как оценить Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS?

Оценщик Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS использует Drain Current in NMOS = 1/2*Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*(Напряжение источника стока)^2 для оценки Ток стока в NMOS, Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода формулы NMOS, указывает на способность кремниевой микросхемы проводить ток; его можно использовать в качестве ориентира при сравнении различных устройств. Ток стока в NMOS обозначается символом I_d.

Как оценить Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS, введите Параметр крутизны процесса в NMOS (k'_n), Ширина канала (W_c), Длина канала (L) & Напряжение источника стока (V_ds) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS

По какой формуле можно найти Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS?

Формула Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS выражается как Drain Current in NMOS = 1/2*Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*(Напряжение источника стока)^2. Вот пример: 236883 = 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.43)^2.

Как рассчитать Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS?

С помощью Параметр крутизны процесса в NMOS (k'_n), Ширина канала (W_c), Длина канала (L) & Напряжение источника стока (V_ds) мы можем найти Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS, используя формулу - Drain Current in NMOS = 1/2*Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*(Напряжение источника стока)^2.

Какие еще способы расчета Ток стока в NMOS?

Вот различные способы расчета Ток стока в NMOS-

Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*Drain Source Voltage^2)
Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2

Может ли Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS быть отрицательным?

Нет, Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS, измеренная в Электрический ток не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS?

Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS обычно измеряется с использованием Миллиампер[mA] для Электрический ток. Ампер[mA], микроампер[mA], сантиампер[mA] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS Формула

​ИдтиТок, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора Формула

​ИдтиТок, поступающий в сток-источник в области триода NMOS Формула

Пример Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS

Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS Решение

Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS Формула Элементы

Другие формулы для поиска Ток стока в NMOS

Другие формулы в категории Улучшение N-канала

Как оценить Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS?

FAQs на Ток, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOS

Variable Name

ИдтиТок, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора Формула

ИдтиТок, поступающий в сток-источник в области триода NMOS Формула