FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Ток насыщения короткого канала СБИС Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Ток насыщения короткого канала определяется как максимальный ток, который может протекать через транзистор с коротким каналом, когда он находится в режиме насыщения. Проверьте FAQs

I D(sat) = W c \cdot v d(sat) \cdot C oxide \cdot V Dsat

I_D(sat) - Ток насыщения короткого канала?W_c - ширина канала?v_d(sat) - Скорость дрейфа электронов насыщения?C_oxide - Оксидная емкость на единицу площади?V_Dsat - Напряжение источника насыщения, стока?

Пример Ток насыщения короткого канала СБИС

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Ток насыщения короткого канала СБИС выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Ток насыщения короткого канала СБИС выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Ток насыщения короткого канала СБИС выглядит как.

527.25 = 2.5 \cdot 2E+7 \cdot 0.0703 \cdot 1.5

527.25µA = 2.5μm \cdot 2E+7cm/s \cdot 0.0703μF/cm² \cdot 1.5V

527.25 = 2.5 \cdot 2E+7 \cdot 0.0703 \cdot 1.5

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Изготовление СБИС » fx Ток насыщения короткого канала СБИС

Ток насыщения короткого канала СБИС Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Ток насыщения короткого канала СБИС?

Первый шаг Рассмотрим формулу

I D(sat) = W c \cdot v d(sat) \cdot C oxide \cdot V Dsat

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

I D(sat) = 2.5μm \cdot 2E+7cm/s \cdot 0.0703μF/cm² \cdot 1.5V

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

I D(sat) = 2.5E-6m \cdot 200000m/s \cdot 0.0007F/m² \cdot 1.5V

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

I D(sat) = 2.5E-6 \cdot 200000 \cdot 0.0007 \cdot 1.5

Следующий шаг Оценивать

∴

I D(sat) = 0.00052725A

Последний шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

I D(sat) = 527.25µA

Ток насыщения короткого канала СБИС Формула Элементы

Переменные

Ток насыщения короткого канала

Ток насыщения короткого канала определяется как максимальный ток, который может протекать через транзистор с коротким каналом, когда он находится в режиме насыщения.

Символ: I_D(sat)

Измерение: Электрический токЕдиница: µA

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Ток насыщения короткого канала

ширина канала

Ширина канала определяется как физическая ширина полупроводникового канала между выводами истока и стока внутри транзисторной структуры.

Символ: W_c

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска ширина канала

Скорость дрейфа электронов насыщения

Скорость дрейфа электронов насыщения определяется как максимальная скорость, достигаемая электронами в полупроводниковом материале под действием электрического поля.

Символ: v_d(sat)

Измерение: СкоростьЕдиница: cm/s

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Скорость дрейфа электронов насыщения

Оксидная емкость на единицу площади

Оксидная емкость на единицу площади определяется как емкость на единицу площади изолирующего оксидного слоя, который отделяет металлический затвор от полупроводникового материала.

Символ: C_oxide

Измерение: Оксидная емкость на единицу площадиЕдиница: μF/cm²

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Оксидная емкость на единицу площади

Напряжение источника насыщения, стока

Напряжение источника-стока насыщения определяется как напряжение на клеммах стока и истока полевого МОП-транзистора, когда транзистор работает в режиме насыщения.

Символ: V_Dsat

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение источника насыщения, стока

Другие формулы в категории Оптимизация материалов СБИС

Идти Коэффициент эффекта тела

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Идти Плата за канал

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Идти Критическое напряжение

V x = E x \cdot E ch

Идти DIBL Коэффициент

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Ток насыщения короткого канала СБИС?

Оценщик Ток насыщения короткого канала СБИС использует Short Channel Saturation Current = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*Оксидная емкость на единицу площади*Напряжение источника насыщения, стока для оценки Ток насыщения короткого канала, Формула тока насыщения короткого канала VLSI определяется как максимальный ток, который может протекать через транзистор с коротким каналом, когда он находится в режиме насыщения. Ток насыщения короткого канала обозначается символом I_D(sat).

Как оценить Ток насыщения короткого канала СБИС с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Ток насыщения короткого канала СБИС, введите ширина канала (W_c), Скорость дрейфа электронов насыщения (v_d(sat)), Оксидная емкость на единицу площади (C_oxide) & Напряжение источника насыщения, стока (V_Dsat) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Ток насыщения короткого канала СБИС

По какой формуле можно найти Ток насыщения короткого канала СБИС?

Формула Ток насыщения короткого канала СБИС выражается как Short Channel Saturation Current = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*Оксидная емкость на единицу площади*Напряжение источника насыщения, стока. Вот пример: 5.3E+8 = 2.5E-06*200000*0.000703*1.5.

Как рассчитать Ток насыщения короткого канала СБИС?

С помощью ширина канала (W_c), Скорость дрейфа электронов насыщения (v_d(sat)), Оксидная емкость на единицу площади (C_oxide) & Напряжение источника насыщения, стока (V_Dsat) мы можем найти Ток насыщения короткого канала СБИС, используя формулу - Short Channel Saturation Current = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*Оксидная емкость на единицу площади*Напряжение источника насыщения, стока.

Может ли Ток насыщения короткого канала СБИС быть отрицательным?

Нет, Ток насыщения короткого канала СБИС, измеренная в Электрический ток не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Ток насыщения короткого канала СБИС?

Ток насыщения короткого канала СБИС обычно измеряется с использованием микроампер[µA] для Электрический ток. Ампер[µA], Миллиампер[µA], сантиампер[µA] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Ток насыщения короткого канала СБИС.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Ток насыщения короткого канала СБИС Формула

Пример Ток насыщения короткого канала СБИС

Ток насыщения короткого канала СБИС Решение

Ток насыщения короткого канала СБИС Формула Элементы

Другие формулы в категории Оптимизация материалов СБИС

Как оценить Ток насыщения короткого канала СБИС?

FAQs на Ток насыщения короткого канала СБИС

Variable Name