Ток насыщения в транзисторе Формула

Fx Копировать
LaTeX Копировать
Ток насыщения — это максимальный ток, который может протекать через транзистор, когда он полностью открыт. Проверьте FAQs
Isat=qADnni2Qb
Isat - Ток насыщения?q - Заряжать?A - Зона базового соединения эмиттера?Dn - Эффективное распространение?ni - Внутренняя концентрация?Qb - Общая примесь?

Пример Ток насыщения в транзисторе

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Ток насыщения в транзисторе выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Ток насыщения в транзисторе выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Ток насыщения в транзисторе выглядит как.

2.1175Edit=5Edit1.75Edit0.5Edit1.32Edit23.6E+9Edit
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category Инженерное дело » Category Электроника » Category Интегральные схемы (ИС) » fx Ток насыщения в транзисторе

Ток насыщения в транзисторе Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Ток насыщения в транзисторе?

Первый шаг Рассмотрим формулу
Isat=qADnni2Qb
Следующий шаг Заменить значения переменных
Isat=5mC1.75cm²0.51.321/cm³23.6E+9cm²
Следующий шаг Конвертировать единицы
Isat=0.005C0.00020.51.3E+61/m³2360000
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
Isat=0.0050.00020.51.3E+62360000
Последний шаг Оценивать
Isat=2.1175A

Ток насыщения в транзисторе Формула Элементы

Переменные
Ток насыщения
Ток насыщения — это максимальный ток, который может протекать через транзистор, когда он полностью открыт.
Символ: Isat
Измерение: Электрический токЕдиница: A
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Заряжать
Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Символ: q
Измерение: Электрический зарядЕдиница: mC
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Зона базового соединения эмиттера
Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.
Символ: A
Измерение: ОбластьЕдиница: cm²
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Эффективное распространение
Эффективная диффузия — это параметр, связанный с процессом диффузии носителей, на который влияют свойства материала и геометрия полупроводникового перехода.
Символ: Dn
Измерение: NAЕдиница: Unitless
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Внутренняя концентрация
Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Символ: ni
Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/cm³
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Общая примесь
Общая примесь определяет примеси, которые смешиваются по атому на единицу площади в основе, или количество примеси, добавленной к собственному полупроводнику, изменяет его уровень проводимости.
Символ: Qb
Измерение: ОбластьЕдиница: cm²
Примечание: Значение должно быть больше 0.

Другие формулы в категории Изготовление биполярных ИС

​Идти Примеси с собственной концентрацией
ni=nepto
​Идти Омическая проводимость примесей
σ=q(μnne+μpp)
​Идти Напряжение пробоя коллектора-эмиттера
Vce=Vcb(ig)1n
​Идти Проводимость N-типа
σ=q(μnNd+μp(ni2Nd))

Как оценить Ток насыщения в транзисторе?

Оценщик Ток насыщения в транзисторе использует Saturation Current = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь для оценки Ток насыщения, Ток насыщения в формуле транзистора — это часть обратного тока в полупроводниковом диоде, вызванная диффузией неосновных носителей заряда из нейтральных областей в область обеднения. Этот ток практически не зависит от обратного напряжения. Ток насыщения обозначается символом Isat.

Как оценить Ток насыщения в транзисторе с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Ток насыщения в транзисторе, введите Заряжать (q), Зона базового соединения эмиттера (A), Эффективное распространение (Dn), Внутренняя концентрация (ni) & Общая примесь (Qb) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Ток насыщения в транзисторе

По какой формуле можно найти Ток насыщения в транзисторе?
Формула Ток насыщения в транзисторе выражается как Saturation Current = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь. Вот пример: 2.1175 = (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000.
Как рассчитать Ток насыщения в транзисторе?
С помощью Заряжать (q), Зона базового соединения эмиттера (A), Эффективное распространение (Dn), Внутренняя концентрация (ni) & Общая примесь (Qb) мы можем найти Ток насыщения в транзисторе, используя формулу - Saturation Current = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь.
Может ли Ток насыщения в транзисторе быть отрицательным?
Да, Ток насыщения в транзисторе, измеренная в Электрический ток может, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Ток насыщения в транзисторе?
Ток насыщения в транзисторе обычно измеряется с использованием Ампер[A] для Электрический ток. Миллиампер[A], микроампер[A], сантиампер[A] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Ток насыщения в транзисторе.
Copied!