FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Входной ток может относиться к электрическому току, который течет в электрическое устройство или цепь. Этот ток может быть переменным или постоянным в зависимости от устройства и источника питания. Проверьте FAQs

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

I_in - Входной ток?V_gs - Напряжение затвор-исток?ω - Угловая частота?C_sg - Емкость затвора источника?C_gd - Емкость затвор-сток?

Пример Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET выглядит как.

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

2.0011mA = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET?

Первый шаг Рассмотрим формулу

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.2E-6F + 7E-6F))

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

I in = 4 \cdot (33 \cdot (8.2E-6 + 7E-6))

Следующий шаг Оценивать

∴

I in = 0.00200112A

Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

I in = 2.00112mA

Последний шаг Округление ответа

∴

I in = 2.0011mA

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET Формула Элементы

Переменные

Входной ток

Символ: I_in

Измерение: Электрический токЕдиница: mA

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Входной ток

Напряжение затвор-исток

Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.

Символ: V_gs

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение затвор-исток

Угловая частота

Угловая частота волны относится к угловому смещению в единицу времени. Это скалярная мера скорости вращения.

Символ: ω

Измерение: Угловая частотаЕдиница: rad/s

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Угловая частота

Емкость затвора источника

Емкость затвора истока — это мера емкости между электродами истока и затвора в полевом транзисторе (FET).

Символ: C_sg

Измерение: ЕмкостьЕдиница: μF

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Емкость затвора источника

Емкость затвор-сток

Емкость затвор-сток — это паразитная емкость, которая существует между электродами затвора и стока полевого транзистора (FET).

Символ: C_gd

Измерение: ЕмкостьЕдиница: μF

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Емкость затвор-сток

Другие формулы в категории Напряжение

Идти Выходное напряжение на стоке Q1 MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

Идти Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

Идти Выходное напряжение на стоке Q1 полевого МОП-транзистора при синфазном сигнале

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

Идти Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET при синфазном сигнале

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Узнать больше OpenImg

Как оценить Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET?

Оценщик Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET использует Input Current = Напряжение затвор-исток*(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток)) для оценки Входной ток, Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET, увеличивается с легированием, в то время как порог структуры pMOS уменьшается с легированием таким же образом. Изменение напряжения плоской полосы из-за заряда оксида приведет к тому, что обе кривые сместятся вниз, если заряд положительный, и вверх, если заряд отрицательный. Входной ток обозначается символом I_in.

Как оценить Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET, введите Напряжение затвор-исток (V_gs), Угловая частота (ω), Емкость затвора источника (C_sg) & Емкость затвор-сток (C_gd) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET

По какой формуле можно найти Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET?

Формула Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET выражается как Input Current = Напряжение затвор-исток*(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток)). Вот пример: 2001.12 = 4*(33*(8.16E-06+7E-06)).

Как рассчитать Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET?

С помощью Напряжение затвор-исток (V_gs), Угловая частота (ω), Емкость затвора источника (C_sg) & Емкость затвор-сток (C_gd) мы можем найти Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET, используя формулу - Input Current = Напряжение затвор-исток*(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток)).

Может ли Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET быть отрицательным?

Да, Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET, измеренная в Электрический ток может, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET?

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET обычно измеряется с использованием Миллиампер[mA] для Электрический ток. Ампер[mA], микроампер[mA], сантиампер[mA] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET Формула

Пример Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET Решение

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET Формула Элементы

Другие формулы в категории Напряжение

Как оценить Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET?

FAQs на Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET

Variable Name