FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Параметр Backgate Effect в PMOS Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Параметр обратного эффекта относится к явлению, которое происходит в полевых транзисторах, которые представляют собой электронные устройства, используемые для усиления, переключения и других целей. Проверьте FAQs

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

γ_p - Параметр эффекта Backgate?N_d - Концентрация доноров?C_ox - Оксид Емкость?[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума?[Charge-e] - Заряд электрона?

Пример Параметр Backgate Effect в PMOS

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Параметр Backgate Effect в PMOS выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Параметр Backgate Effect в PMOS выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Параметр Backgate Effect в PMOS выглядит как.

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Параметр Backgate Effect в PMOS

Параметр Backgate Effect в PMOS Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Параметр Backgate Effect в PMOS?

Первый шаг Рассмотрим формулу

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

Следующий шаг Оценивать

∴

γ p = 0.0290154053183929

Последний шаг Округление ответа

∴

γ p = 0.029

Параметр Backgate Effect в PMOS Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Параметр эффекта Backgate

Символ: γ_p

Измерение: NAЕдиница: Unitless

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Параметр эффекта Backgate

Концентрация доноров

Концентрация доноров относится к физике полупроводников и относится к количеству атомов донорных примесей в единице объема полупроводникового материала.

Символ: N_d

Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/m³

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Концентрация доноров

Оксид Емкость

Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.

Символ: C_ox

Измерение: ЕмкостьЕдиница: F

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Оксид Емкость

Диэлектрическая проницаемость вакуума

Диэлектрическая проницаемость вакуума — это фундаментальная физическая константа, которая описывает способность вакуума обеспечивать передачу линий электрического поля.

Символ: [Permitivity-vacuum]

Ценить: 8.85E-12 F/m

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

sqrt

Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории Улучшение P-канала

Идти Ток стока в области триода PMOS-транзистора

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Идти Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Идти Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Идти Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Параметр Backgate Effect в PMOS?

Оценщик Параметр Backgate Effect в PMOS использует Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость для оценки Параметр эффекта Backgate, Параметр Backgate Effect в формуле PMOS представляет собой изменение порогового напряжения для заданного изменения напряжения обратного затвора. Параметр эффекта Backgate обозначается символом γ_p.

Как оценить Параметр Backgate Effect в PMOS с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Параметр Backgate Effect в PMOS, введите Концентрация доноров (N_d) & Оксид Емкость (C_ox) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Параметр Backgate Effect в PMOS

По какой формуле можно найти Параметр Backgate Effect в PMOS?

Формула Параметр Backgate Effect в PMOS выражается как Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость. Вот пример: 0.029015 = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008.

Как рассчитать Параметр Backgate Effect в PMOS?

С помощью Концентрация доноров (N_d) & Оксид Емкость (C_ox) мы можем найти Параметр Backgate Effect в PMOS, используя формулу - Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость. В этой формуле также используются функции Диэлектрическая проницаемость вакуума, Заряд электрона, константа(ы) и Функция квадратного корня.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Параметр Backgate Effect в PMOS Формула

Пример Параметр Backgate Effect в PMOS

Параметр Backgate Effect в PMOS Решение

Параметр Backgate Effect в PMOS Формула Элементы

Другие формулы в категории Улучшение P-канала

Как оценить Параметр Backgate Effect в PMOS?

FAQs на Параметр Backgate Effect в PMOS

Variable Name