FormulaDen logo
FormulaDen.com
Search
физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье
Fx Копировать
LaTeX Копировать
Параметр крутизны является важным параметром в электронных устройствах и схемах, который помогает описать и количественно оценить взаимосвязь между входом и выходом между напряжением и током. Проверьте FAQs
kn=k'n⋅WL
kn - Параметр крутизны?k'n - Параметр крутизны процесса?WL - Соотношение сторон?

Пример Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны выглядит как.

0.0015Edit=0.015Edit⋅0.1Edit
Решение
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category Инженерное дело » Category Электроника » Category Аналоговая электроника » fx Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны

Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны?

Первый шаг Рассмотрим формулу
kn=k'n⋅WL
Следующий шаг Заменить значения переменных
∴ kn=0.015A/V²⋅0.1
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
∴ kn=0.015⋅0.1
Последний шаг Оценивать
∴kn=0.0015A/V²

Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны Формула Элементы

Переменные
Параметр крутизны
Параметр крутизны является важным параметром в электронных устройствах и схемах, который помогает описать и количественно оценить взаимосвязь между входом и выходом между напряжением и током.
Символ: kn
Измерение: Параметр крутизныЕдиница: A/V²
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Формулы для поиска Параметр крутизныOpen Variable
Параметр крутизны процесса
Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
Символ: k'n
Измерение: Параметр крутизныЕдиница: A/V²
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Формулы для поиска Параметр крутизны процессаOpen Variable
Соотношение сторон
Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником
Символ: WL
Измерение: NAЕдиница: Unitless
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Формулы для поиска Соотношение сторонOpen Variable

Другие формулы для поиска Параметр крутизны

​Идти Параметр крутизны процесса MOSFET
kn=gmVov

Другие формулы в категории крутизна

​Идти Ток стока с использованием крутизны
id=(Vov)⋅gm2
​Идти Крутизна тока стока
gm=2⋅k'n⋅WL⋅id
​Идти Крутизна заданного параметра крутизны процесса
gm=k'n⋅WL⋅(Vgs-Vth)
​Идти Транскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки
gm=k'n⋅WL⋅Vov

Как оценить Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны?

Оценщик Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны использует Transconductance Parameter = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон для оценки Параметр крутизны, Параметр крутизны полевого МОП-транзистора с использованием крутизны процесса представляет собой произведение параметра крутизны процесса и отношения размеров транзистора (Ш/Д). Параметр крутизны обозначается символом kn.

Как оценить Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны, введите Параметр крутизны процесса (k'n) & Соотношение сторон (WL) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны

По какой формуле можно найти Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны?
Формула Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны выражается как Transconductance Parameter = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон. Вот пример: 0.0015 = 0.015*0.1.
Как рассчитать Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны?
С помощью Параметр крутизны процесса (k'n) & Соотношение сторон (WL) мы можем найти Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны, используя формулу - Transconductance Parameter = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон.
Какие еще способы расчета Параметр крутизны?
Вот различные способы расчета Параметр крутизны-
  • Transconductance Parameter=Transconductance/Overdrive VoltageOpenImg
.
Может ли Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны быть отрицательным?
Да, Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны, измеренная в Параметр крутизны может, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны?
Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны обычно измеряется с использованием Ампер на квадратный вольт[A/V²] для Параметр крутизны. Миллиампер на квадратный вольт[A/V²], Микроампер на квадратный вольт[A/V²] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны.
About | Contact | Disclaimer | Terms | Privacy Policy
© 2024. Developed & Maintained by softUsvista Inc.
Copied!