FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Общий ток стока транзистора PMOS Формула

ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора Формула

ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Ток стока — это электрический ток, протекающий от стока к истоку полевого транзистора (FET) или полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Проверьте FAQs

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

I_d - Ток стока?k'_p - Параметр крутизны процесса в PMOS?WL - Соотношение сторон?V_GS - Напряжение между затвором и источником?V_T - Пороговое напряжение?V_DS - Напряжение между стоком и истоком?V_a - Раннее напряжение?

Пример Общий ток стока транзистора PMOS

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Общий ток стока транзистора PMOS выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Общий ток стока транзистора PMOS выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Общий ток стока транзистора PMOS выглядит как.

30.8336 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

30.8336mA = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

30.8336 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Общий ток стока транзистора PMOS

Общий ток стока транзистора PMOS Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Общий ток стока транзистора PMOS?

Первый шаг Рассмотрим формулу

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0021S \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0021 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

Следующий шаг Оценивать

∴

I d = 0.03083355072A

Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

I d = 30.83355072mA

Последний шаг Округление ответа

∴

I d = 30.8336mA

Общий ток стока транзистора PMOS Формула Элементы

Переменные

Функции

Ток стока

Ток стока — это электрический ток, протекающий от стока к истоку полевого транзистора (FET) или полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET).

Символ: I_d

Измерение: Электрический токЕдиница: mA

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Ток стока

Параметр крутизны процесса в PMOS

Параметр крутизны процесса в PMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.

Символ: k'_p

Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: mS

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Параметр крутизны процесса в PMOS

Соотношение сторон

Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником

Символ: WL

Измерение: NAЕдиница: Unitless

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Соотношение сторон

Напряжение между затвором и источником

Напряжение между затвором и истоком полевого транзистора (FET) известно как напряжение затвор-исток (VGS). Это важный параметр, влияющий на работу полевого транзистора.

Символ: V_GS

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Напряжение между затвором и источником

Пороговое напряжение

Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.

Символ: V_T

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Пороговое напряжение

Напряжение между стоком и истоком

Напряжение между стоком и истоком является ключевым параметром в работе полевого транзистора (FET) и часто упоминается как «напряжение сток-исток» или VDS.

Символ: V_DS

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Напряжение между стоком и истоком

Раннее напряжение

Раннее напряжение полностью зависит от технологического процесса и имеет размеры вольт на микрон.

Символ: V_a

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Раннее напряжение

modulus

Модуль числа — это остаток от деления этого числа на другое число.

Синтаксис: modulus

Другие формулы для поиска Ток стока

Идти Ток стока в области триода PMOS-транзистора

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Идти Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Другие формулы в категории Улучшение P-канала

Идти Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Идти Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Общий ток стока транзистора PMOS?

Оценщик Общий ток стока транзистора PMOS использует Drain Current = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2*(1+Напряжение между стоком и истоком/modulus(Раннее напряжение)) для оценки Ток стока, Общий ток стока PMOS-транзистора, ток стока сначала увеличивается линейно с приложенным напряжением сток-исток, но затем достигает максимального значения. Слой обеднения, расположенный на конце стока затвора, вмещает дополнительное напряжение сток-исток. Такое поведение называется током стока. Ток стока обозначается символом I_d.

Как оценить Общий ток стока транзистора PMOS с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Общий ток стока транзистора PMOS, введите Параметр крутизны процесса в PMOS (k'_p), Соотношение сторон (WL), Напряжение между затвором и источником (V_GS), Пороговое напряжение (V_T), Напряжение между стоком и истоком (V_DS) & Раннее напряжение (V_a) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Общий ток стока транзистора PMOS

По какой формуле можно найти Общий ток стока транзистора PMOS?

Формула Общий ток стока транзистора PMOS выражается как Drain Current = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2*(1+Напряжение между стоком и истоком/modulus(Раннее напряжение)). Вот пример: 30833.55 = 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2*(1+2.45/modulus(50)).

Как рассчитать Общий ток стока транзистора PMOS?

С помощью Параметр крутизны процесса в PMOS (k'_p), Соотношение сторон (WL), Напряжение между затвором и источником (V_GS), Пороговое напряжение (V_T), Напряжение между стоком и истоком (V_DS) & Раннее напряжение (V_a) мы можем найти Общий ток стока транзистора PMOS, используя формулу - Drain Current = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2*(1+Напряжение между стоком и истоком/modulus(Раннее напряжение)). В этой формуле также используются функции Модуль (модуль).

Какие еще способы расчета Ток стока?

Вот различные способы расчета Ток стока-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=(Width of Junction*Inversion Layer Charge*Drift Velocity of Inversion)

Может ли Общий ток стока транзистора PMOS быть отрицательным?

Нет, Общий ток стока транзистора PMOS, измеренная в Электрический ток не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Общий ток стока транзистора PMOS?

Общий ток стока транзистора PMOS обычно измеряется с использованием Миллиампер[mA] для Электрический ток. Ампер[mA], микроампер[mA], сантиампер[mA] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Общий ток стока транзистора PMOS.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Общий ток стока транзистора PMOS Формула

​ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора Формула

​ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd Формула

Пример Общий ток стока транзистора PMOS

Общий ток стока транзистора PMOS Решение

Общий ток стока транзистора PMOS Формула Элементы

Другие формулы для поиска Ток стока

Другие формулы в категории Улучшение P-канала

Как оценить Общий ток стока транзистора PMOS?

FAQs на Общий ток стока транзистора PMOS

Variable Name

ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора Формула

ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd Формула