FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Напряжение насыщения IGBT Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) биполярного транзистора с изолированным затвором — это падение напряжения на IGBT, когда он включен и проводит ток. Проверьте FAQs

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

V_{c-e(sat)(igbt)} - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT)?V_{B-E(pnp)(igbt)} - Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT?I_d(igbt) - Ток стока (IGBT)?R_s(igbt) - Сопротивление проводимости IGBT?R_ch(igbt) - Сопротивление N-канала (IGBT)?

Пример Напряжение насыщения IGBT

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Напряжение насыщения IGBT выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Напряжение насыщения IGBT выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Напряжение насыщения IGBT выглядит как.

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

1222.25V = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электрические » Category

Силовая электроника » fx Напряжение насыщения IGBT

Напряжение насыщения IGBT Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Напряжение насыщения IGBT?

Первый шаг Рассмотрим формулу

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 0.105A \cdot (1030Ω + 10590Ω)

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15 + 0.105 \cdot (1030 + 10590)

Последний шаг Оценивать

∴

V c-e(sat)(igbt) = 1222.25V

Напряжение насыщения IGBT Формула Элементы

Переменные

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT)

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) биполярного транзистора с изолированным затвором — это падение напряжения на IGBT, когда он включен и проводит ток.

Символ: V_{c-e(sat)(igbt)}

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT)

Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT

Базовое напряжение эмиттера PNP IGBT. IGBT — это гибридное устройство, сочетающее в себе преимущества MOSFET и BJT.

Символ: V_{B-E(pnp)(igbt)}

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT

Ток стока (IGBT)

Ток стока (IGBT) — это ток, который течет через стоковой переход MOSFET и IGBT.

Символ: I_d(igbt)

Измерение: Электрический токЕдиница: mA

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Ток стока (IGBT)

Сопротивление проводимости IGBT

Сопротивление проводимости IGBT — это сопротивление, когда IGBT включен и проводит ток.

Символ: R_s(igbt)

Измерение: Электрическое сопротивлениеЕдиница: kΩ

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Сопротивление проводимости IGBT

Сопротивление N-канала (IGBT)

Сопротивление N-канала (IGBT) — это сопротивление полупроводникового материала в устройстве, когда IGBT включен.

Символ: R_ch(igbt)

Измерение: Электрическое сопротивлениеЕдиница: kΩ

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Сопротивление N-канала (IGBT)

Другие формулы в категории БТИЗ

Идти Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

Идти Время выключения IGBT

T off(igbt) = T dl(igbt) + t f1(igbt) + t f2(igbt)

Идти Ток эмиттера IGBT

I e(igbt) = I h(igbt) + i e(igbt)

Идти Входная емкость IGBT

C in(igbt) = C (g-e)(igbt) + C (g-c)(igbt)

Узнать больше OpenImg

Как оценить Напряжение насыщения IGBT?

Оценщик Напряжение насыщения IGBT использует Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT+Ток стока (IGBT)*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала (IGBT)) для оценки Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT), Напряжение насыщения IGBT — это падение напряжения на устройстве, когда оно находится во включенном или проводящем состоянии. Это падение напряжения происходит из-за свойственных IGBT характеристик и обычно ниже, чем падение напряжения на стандартном биполярном переходном транзисторе (BJT). На напряжение насыщения IGBT влияет несколько факторов, включая номинальный ток IGBT, температуру и конкретную модель или производителя. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) обозначается символом V_{c-e(sat)(igbt)}.

Как оценить Напряжение насыщения IGBT с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Напряжение насыщения IGBT, введите Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Ток стока (IGBT) (I_d(igbt)), Сопротивление проводимости IGBT (R_s(igbt)) & Сопротивление N-канала (IGBT) (R_ch(igbt)) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Напряжение насыщения IGBT

По какой формуле можно найти Напряжение насыщения IGBT?

Формула Напряжение насыщения IGBT выражается как Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT+Ток стока (IGBT)*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала (IGBT)). Вот пример: 1.1E+6 = 2.15+105*(1.03+10590).

Как рассчитать Напряжение насыщения IGBT?

С помощью Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Ток стока (IGBT) (I_d(igbt)), Сопротивление проводимости IGBT (R_s(igbt)) & Сопротивление N-канала (IGBT) (R_ch(igbt)) мы можем найти Напряжение насыщения IGBT, используя формулу - Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT+Ток стока (IGBT)*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала (IGBT)).

Может ли Напряжение насыщения IGBT быть отрицательным?

Нет, Напряжение насыщения IGBT, измеренная в Электрический потенциал не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Напряжение насыщения IGBT?

Напряжение насыщения IGBT обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Напряжение насыщения IGBT.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Напряжение насыщения IGBT Формула

Пример Напряжение насыщения IGBT

Напряжение насыщения IGBT Решение

Напряжение насыщения IGBT Формула Элементы

Другие формулы в категории БТИЗ

Как оценить Напряжение насыщения IGBT?

FAQs на Напряжение насыщения IGBT

Variable Name