Мобильность в Mosfet Формула

Fx Копировать
LaTeX Копировать
Мобильность в MOSFET определяется способностью электрона быстро перемещаться через металл или полупроводник под действием электрического поля. Проверьте FAQs
μeff=KpCox
μeff - Мобильность в MOSFET?Kp - К Прайм?Cox - Емкость оксидного слоя затвора?

Пример Мобильность в Mosfet

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Мобильность в Mosfet выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Мобильность в Mosfet выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Мобильность в Mosfet выглядит как.

0.1509Edit=4.502Edit29.83Edit
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category Инженерное дело » Category Электроника » Category Изготовление СБИС » fx Мобильность в Mosfet

Мобильность в Mosfet Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Мобильность в Mosfet?

Первый шаг Рассмотрим формулу
μeff=KpCox
Следующий шаг Заменить значения переменных
μeff=4.502cm²/V*s29.83μF/mm²
Следующий шаг Конвертировать единицы
μeff=0.0005m²/V*s29.83F/m²
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
μeff=0.000529.83
Следующий шаг Оценивать
μeff=1.50921890714046E-05m²/V*s
Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода
μeff=0.150921890714046cm²/V*s
Последний шаг Округление ответа
μeff=0.1509cm²/V*s

Мобильность в Mosfet Формула Элементы

Переменные
Мобильность в MOSFET
Мобильность в MOSFET определяется способностью электрона быстро перемещаться через металл или полупроводник под действием электрического поля.
Символ: μeff
Измерение: МобильностьЕдиница: cm²/V*s
Примечание: Значение должно быть больше 0.
К Прайм
K Prime — обратная константа скорости реакции.
Символ: Kp
Измерение: МобильностьЕдиница: cm²/V*s
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Емкость оксидного слоя затвора
Емкость оксидного слоя затвора определяется как емкость вывода затвора полевого транзистора.
Символ: Cox
Измерение: Оксидная емкость на единицу площадиЕдиница: μF/mm²
Примечание: Значение должно быть больше 0.

Другие формулы в категории Оптимизация материалов СБИС

​Идти Коэффициент эффекта тела
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
​Идти Плата за канал
Qch=Cg(Vgc-Vt)
​Идти Критическое напряжение
Vx=ExEch
​Идти DIBL Коэффициент
η=Vt0-VtVds

Как оценить Мобильность в Mosfet?

Оценщик Мобильность в Mosfet использует Mobility in MOSFET = К Прайм/Емкость оксидного слоя затвора для оценки Мобильность в MOSFET, Формула Mobility in Mosfet определяется как скорость, с которой электрон может двигаться через металл или полупроводник под действием электрического поля. Мобильность в MOSFET обозначается символом μeff.

Как оценить Мобильность в Mosfet с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Мобильность в Mosfet, введите К Прайм (Kp) & Емкость оксидного слоя затвора (Cox) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Мобильность в Mosfet

По какой формуле можно найти Мобильность в Mosfet?
Формула Мобильность в Mosfet выражается как Mobility in MOSFET = К Прайм/Емкость оксидного слоя затвора. Вот пример: 1500.167 = 0.0004502/29.83.
Как рассчитать Мобильность в Mosfet?
С помощью К Прайм (Kp) & Емкость оксидного слоя затвора (Cox) мы можем найти Мобильность в Mosfet, используя формулу - Mobility in MOSFET = К Прайм/Емкость оксидного слоя затвора.
Может ли Мобильность в Mosfet быть отрицательным?
Нет, Мобильность в Mosfet, измеренная в Мобильность не могу, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Мобильность в Mosfet?
Мобильность в Mosfet обычно измеряется с использованием Квадратный сантиметр на вольт-секунду[cm²/V*s] для Мобильность. Квадратный метр на вольт в секунду[cm²/V*s] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Мобильность в Mosfet.
Copied!