Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости Формула

Fx Копировать
LaTeX Копировать
Крутизна МОП-транзистора является ключевым параметром, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током. Проверьте FAQs
gm=2μnCox(WtLt)Id
gm - Крутизна МОП-транзистора?μn - Электронная подвижность?Cox - Оксидная емкость?Wt - Ширина транзистора?Lt - Длина транзистора?Id - Ток стока?

Пример Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости выглядит как.

2.2866Edit=230Edit3.9Edit(5.5Edit3.2Edit)0.013Edit
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category Инженерное дело » Category Электроника » Category Аналоговая электроника » fx Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости

Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости?

Первый шаг Рассмотрим формулу
gm=2μnCox(WtLt)Id
Следующий шаг Заменить значения переменных
gm=230m²/V*s3.9F(5.5μm3.2μm)0.013A
Следующий шаг Конвертировать единицы
gm=230m²/V*s3.9F(5.5E-6m3.2E-6m)0.013A
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
gm=2303.9(5.5E-63.2E-6)0.013
Следующий шаг Оценивать
gm=2.28657768291392S
Последний шаг Округление ответа
gm=2.2866S

Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости Формула Элементы

Переменные
Функции
Крутизна МОП-транзистора
Крутизна МОП-транзистора является ключевым параметром, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током.
Символ: gm
Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: S
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Электронная подвижность
Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.
Символ: μn
Измерение: МобильностьЕдиница: m²/V*s
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Оксидная емкость
Оксидная емкость относится к емкости, связанной с изолирующим оксидным слоем в структуре металл-оксид-полупроводник (МОП), например, в МОП-транзисторах.
Символ: Cox
Измерение: ЕмкостьЕдиница: F
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Ширина транзистора
Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Символ: Wt
Измерение: ДлинаЕдиница: μm
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Длина транзистора
Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Символ: Lt
Измерение: ДлинаЕдиница: μm
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Ток стока
Ток стока относится к току, протекающему между клеммами стока и истока транзистора, когда он работает.
Символ: Id
Измерение: Электрический токЕдиница: A
Примечание: Значение должно быть больше 0.
sqrt
Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.
Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории Характеристики МОП-транзистора

​Идти Максимальное усиление напряжения в точке смещения
Avm=2Vdd-VeffVeff
​Идти Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях
Avm=Vdd-0.3Vt
​Идти Усиление напряжения при заданном напряжении стока
Av=idRL2Veff
​Идти Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET
Av=gm11RL+1Rout1+gmRs

Как оценить Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости?

Оценщик Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости использует Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Электронная подвижность*Оксидная емкость*(Ширина транзистора/Длина транзистора)*Ток стока) для оценки Крутизна МОП-транзистора, Крутизна МОП-транзистора с учетом формулы оксидной емкости определяется как ключевой параметр, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током. Крутизна МОП-транзистора обозначается символом gm.

Как оценить Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости, введите Электронная подвижность n), Оксидная емкость (Cox), Ширина транзистора (Wt), Длина транзистора (Lt) & Ток стока (Id) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости

По какой формуле можно найти Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости?
Формула Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости выражается как Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Электронная подвижность*Оксидная емкость*(Ширина транзистора/Длина транзистора)*Ток стока). Вот пример: 7.230794 = sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013).
Как рассчитать Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости?
С помощью Электронная подвижность n), Оксидная емкость (Cox), Ширина транзистора (Wt), Длина транзистора (Lt) & Ток стока (Id) мы можем найти Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости, используя формулу - Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Электронная подвижность*Оксидная емкость*(Ширина транзистора/Длина транзистора)*Ток стока). В этой формуле также используются функции Квадратный корень (sqrt).
Может ли Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости быть отрицательным?
Да, Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости, измеренная в Электрическая проводимость может, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости?
Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости обычно измеряется с использованием Сименс[S] для Электрическая проводимость. Мегасименс[S], Миллисименс[S], сименс[S] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости.
Copied!