Оценщик Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости использует Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Электронная подвижность*Оксидная емкость*(Ширина транзистора/Длина транзистора)*Ток стока) для оценки Крутизна МОП-транзистора, Крутизна МОП-транзистора с учетом формулы оксидной емкости определяется как ключевой параметр, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током. Крутизна МОП-транзистора обозначается символом gm.
Как оценить Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости, введите Электронная подвижность (μn), Оксидная емкость (Cox), Ширина транзистора (Wt), Длина транзистора (Lt) & Ток стока (Id) и нажмите кнопку расчета.