Fx Копировать
LaTeX Копировать
Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток. Проверьте FAQs
gm=k'nWL(Vgs-Vth)
gm - крутизна?k'n - Параметр крутизны процесса?WL - Соотношение сторон?Vgs - Напряжение затвор-исток?Vth - Пороговое напряжение?

Пример Крутизна заданного параметра крутизны процесса

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Крутизна заданного параметра крутизны процесса выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Крутизна заданного параметра крутизны процесса выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Крутизна заданного параметра крутизны процесса выглядит как.

0.48Edit=0.015Edit0.1Edit(4Edit-3.68Edit)
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category Инженерное дело » Category Электроника » Category Аналоговая электроника » fx Крутизна заданного параметра крутизны процесса

Крутизна заданного параметра крутизны процесса Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Крутизна заданного параметра крутизны процесса?

Первый шаг Рассмотрим формулу
gm=k'nWL(Vgs-Vth)
Следующий шаг Заменить значения переменных
gm=0.015A/V²0.1(4V-3.68V)
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
gm=0.0150.1(4-3.68)
Следующий шаг Оценивать
gm=0.00048S
Последний шаг Преобразовать в единицу вывода
gm=0.48mS

Крутизна заданного параметра крутизны процесса Формула Элементы

Переменные
крутизна
Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.
Символ: gm
Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: mS
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Параметр крутизны процесса
Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
Символ: k'n
Измерение: Параметр крутизныЕдиница: A/V²
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Соотношение сторон
Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником
Символ: WL
Измерение: NAЕдиница: Unitless
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Напряжение затвор-исток
Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.
Символ: Vgs
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Пороговое напряжение
Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.
Символ: Vth
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение должно быть больше 0.

Другие формулы для поиска крутизна

​Идти Крутизна тока стока
gm=2k'nWLid
​Идти Транскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки
gm=k'nWLVov
​Идти MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны
gm=kn(Vgs-Vth)
​Идти Транскондуктивность МОП-транзистора при заданном напряжении перегрузки
gm=knVov

Другие формулы в категории крутизна

​Идти Ток стока с использованием крутизны
id=(Vov)gm2
​Идти Технологическая крутизна с учетом крутизны и тока стока
k'n=gm22WLid
​Идти MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны
k'n=gmWL(Vgs-Vth)
​Идти Транскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки
k'n=gmWLVov

Как оценить Крутизна заданного параметра крутизны процесса?

Оценщик Крутизна заданного параметра крутизны процесса использует Transconductance = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение) для оценки крутизна, Transconductance, заданный параметром крутизны процесса, представляет собой изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвор/исток при постоянном напряжении сток/исток. крутизна обозначается символом gm.

Как оценить Крутизна заданного параметра крутизны процесса с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Крутизна заданного параметра крутизны процесса, введите Параметр крутизны процесса (k'n), Соотношение сторон (WL), Напряжение затвор-исток (Vgs) & Пороговое напряжение (Vth) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Крутизна заданного параметра крутизны процесса

По какой формуле можно найти Крутизна заданного параметра крутизны процесса?
Формула Крутизна заданного параметра крутизны процесса выражается как Transconductance = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение). Вот пример: 480 = 0.015*0.1*(4-3.68).
Как рассчитать Крутизна заданного параметра крутизны процесса?
С помощью Параметр крутизны процесса (k'n), Соотношение сторон (WL), Напряжение затвор-исток (Vgs) & Пороговое напряжение (Vth) мы можем найти Крутизна заданного параметра крутизны процесса, используя формулу - Transconductance = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение).
Какие еще способы расчета крутизна?
Вот различные способы расчета крутизна-
  • Transconductance=sqrt(2*Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Drain Current)OpenImg
  • Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Overdrive VoltageOpenImg
  • Transconductance=Transconductance Parameter*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)OpenImg
.
Может ли Крутизна заданного параметра крутизны процесса быть отрицательным?
Да, Крутизна заданного параметра крутизны процесса, измеренная в Электрическая проводимость может, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Крутизна заданного параметра крутизны процесса?
Крутизна заданного параметра крутизны процесса обычно измеряется с использованием Миллисименс[mS] для Электрическая проводимость. Сименс[mS], Мегасименс[mS], сименс[mS] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Крутизна заданного параметра крутизны процесса.
Copied!