FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Крутизна в области насыщения Формула

ИдтиКрутизна в MESFET Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Крутизна определяется как отношение изменения тока стока к изменению напряжения затвор-исток при условии постоянного напряжения сток-исток. Проверьте FAQs

g m = G o \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V g}{V p}})

g_m - Крутизна?G_o - Выходная проводимость?V_i - Потенциальный барьер диода Шоттки?V_g - Напряжение затвора?V_p - Напряжение отсечки?

Пример Крутизна в области насыщения

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Крутизна в области насыщения выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Крутизна в области насыщения выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Крутизна в области насыщения выглядит как.

0.051 = 0.174 \cdot (1 - \sqrt{\frac{15.9 - 9.62}{12.56}})

0.051S = 0.174S \cdot (1 - \sqrt{\frac{15.9V - 9.62V}{12.56V}})

0.051 = 0.174 \cdot (1 - \sqrt{\frac{15.9 - 9.62}{12.56}})

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Теория СВЧ » fx Крутизна в области насыщения

Крутизна в области насыщения Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Крутизна в области насыщения?

Первый шаг Рассмотрим формулу

g m = G o \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V g}{V p}})

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

g m = 0.174S \cdot (1 - \sqrt{\frac{15.9V - 9.62V}{12.56V}})

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

g m = 0.174 \cdot (1 - \sqrt{\frac{15.9 - 9.62}{12.56}})

Следующий шаг Оценивать

∴

g m = 0.0509634200735407S

Последний шаг Округление ответа

∴

g m = 0.051S

Крутизна в области насыщения Формула Элементы

Переменные

Функции

Крутизна

Крутизна определяется как отношение изменения тока стока к изменению напряжения затвор-исток при условии постоянного напряжения сток-исток.

Символ: g_m

Измерение: крутизнаЕдиница: S

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Крутизна

Выходная проводимость

Выходная проводимость представляет собой проводимость сток-исток МОП-транзистора при малых сигналах, когда напряжение затвор-исток поддерживается постоянным.

Символ: G_o

Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: S

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Выходная проводимость

Потенциальный барьер диода Шоттки

Потенциальный барьер диода Шоттки — это энергетический барьер, который существует на границе раздела металла и полупроводникового материала в диоде Шоттки.

Символ: V_i

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Потенциальный барьер диода Шоттки

Напряжение затвора

Напряжение на затворе относится к напряжению, подаваемому на управляющий вывод MESFET для регулирования его проводимости. Напряжение на затворе определяет количество свободных носителей заряда в канале.

Символ: V_g

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение затвора

Напряжение отсечки

Напряжение отключения — это напряжение затвора, при котором канал полностью пережимается, и это ключевой параметр в работе полевых транзисторов. Это важный параметр при проектировании схем.

Символ: V_p

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение отсечки

sqrt

Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы для поиска Крутизна

Идти Крутизна в MESFET

g m = 2 \cdot C gs \cdot π \cdot f co

Другие формулы в категории Характеристики MESFET

Идти Длина затвора MESFET

L gate = \frac{V s}{4 \cdot π \cdot f co}

Идти Частота среза

f co = \frac{V s}{4 \cdot π \cdot L gate}

Идти Емкость источника затвора

C gs = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot f co}

Идти Максимальная частота колебаний в MESFET

f m = (\frac{f t}{2}) \cdot \sqrt{\frac{R d}{R g}}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Крутизна в области насыщения?

Оценщик Крутизна в области насыщения использует Transconductance = Выходная проводимость*(1-sqrt((Потенциальный барьер диода Шоттки-Напряжение затвора)/Напряжение отсечки)) для оценки Крутизна, Формула крутизны в области насыщения определяется как отношение изменения тока стока к изменению напряжения затвора при фиксированном напряжении стока, когда устройство работает в области насыщения. Это мера способности устройства усиливать небольшие изменения входного напряжения, приложенного к электроду затвора. Крутизна обозначается символом g_m.

Как оценить Крутизна в области насыщения с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Крутизна в области насыщения, введите Выходная проводимость (G_o), Потенциальный барьер диода Шоттки (V_i), Напряжение затвора (V_g) & Напряжение отсечки (V_p) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Крутизна в области насыщения

По какой формуле можно найти Крутизна в области насыщения?

Формула Крутизна в области насыщения выражается как Transconductance = Выходная проводимость*(1-sqrt((Потенциальный барьер диода Шоттки-Напряжение затвора)/Напряжение отсечки)). Вот пример: 0.050963 = 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56)).

Как рассчитать Крутизна в области насыщения?

С помощью Выходная проводимость (G_o), Потенциальный барьер диода Шоттки (V_i), Напряжение затвора (V_g) & Напряжение отсечки (V_p) мы можем найти Крутизна в области насыщения, используя формулу - Transconductance = Выходная проводимость*(1-sqrt((Потенциальный барьер диода Шоттки-Напряжение затвора)/Напряжение отсечки)). В этой формуле также используются функции Квадратный корень (sqrt).

Какие еще способы расчета Крутизна?

Вот различные способы расчета Крутизна-

Transconductance=2*Gate Source Capacitance*pi*Cut-off Frequency

Может ли Крутизна в области насыщения быть отрицательным?

Да, Крутизна в области насыщения, измеренная в крутизна может, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Крутизна в области насыщения?

Крутизна в области насыщения обычно измеряется с использованием Сименс[S] для крутизна. Миллисименс[S] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Крутизна в области насыщения.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Крутизна в области насыщения Формула

​ИдтиКрутизна в MESFET Формула

Пример Крутизна в области насыщения

Крутизна в области насыщения Решение

Крутизна в области насыщения Формула Элементы

Другие формулы для поиска Крутизна

Другие формулы в категории Характеристики MESFET

Как оценить Крутизна в области насыщения?

FAQs на Крутизна в области насыщения

Variable Name

ИдтиКрутизна в MESFET Формула