FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Крутизна в области насыщения в MESFET Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Крутизна MESFET является ключевым параметром MESFET, отражающим изменение тока стока по отношению к изменению напряжения затвор-исток. Проверьте FAQs

G m = g 0 \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V G}{V p}})

G_m - Крутизна транзистора MESFET?g₀ - Выходная проводимость?V_i - Входное напряжение?V_G - Пороговое напряжение?V_p - Напряжение отсечки?

Пример Крутизна в области насыщения в MESFET

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Крутизна в области насыщения в MESFET выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Крутизна в области насыщения в MESFET выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Крутизна в области насыщения в MESFET выглядит как.

0.0631 = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

0.0631S = 0.152S \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25V - 1.562V}{2.01V}})

0.0631 = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Теория СВЧ » fx Крутизна в области насыщения в MESFET

Крутизна в области насыщения в MESFET Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Крутизна в области насыщения в MESFET?

Первый шаг Рассмотрим формулу

G m = g 0 \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V G}{V p}})

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

G m = 0.152S \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25V - 1.562V}{2.01V}})

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

G m = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

Следующий шаг Оценивать

∴

G m = 0.0630717433777618S

Последний шаг Округление ответа

∴

G m = 0.0631S

Крутизна в области насыщения в MESFET Формула Элементы

Переменные

Функции

Крутизна транзистора MESFET

Крутизна MESFET является ключевым параметром MESFET, отражающим изменение тока стока по отношению к изменению напряжения затвор-исток.

Символ: G_m

Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: S

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Крутизна транзистора MESFET

Выходная проводимость

Выходная проводимость — параметр, характеризующий поведение полевого транзистора (FET) в области его насыщения.

Символ: g₀

Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: S

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Выходная проводимость

Входное напряжение

Входное напряжение — это разность электрических потенциалов, приложенная к входным клеммам компонента или системы.

Символ: V_i

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Входное напряжение

Пороговое напряжение

Пороговое напряжение — это напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток.

Символ: V_G

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Пороговое напряжение

Напряжение отсечки

Напряжение отсечки представляет собой напряжение затвор-исток, при котором канал MESFET закрывается или «зажимается».

Символ: V_p

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение отсечки

sqrt

Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории Транзисторные усилители

Идти Частота среза MESFET

f co = \frac{G m}{2 \cdot π \cdot C gs}

Идти Максимальная рабочая частота

f max = \frac{f co}{2} \cdot \sqrt{\frac{R d}{R s + R i + R g}}

Идти Максимальная частота колебаний

f max o = \frac{v s}{2 \cdot π \cdot L c}

Идти Коэффициент шума GaAs MESFET

NF = 1 + 2 \cdot ω \cdot \frac{C gs}{G m} \cdot \sqrt{\frac{R s - R gate}{R i}}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Крутизна в области насыщения в MESFET?

Оценщик Крутизна в области насыщения в MESFET использует Transconductance of the MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки)) для оценки Крутизна транзистора MESFET, Коэффициент крутизны в области насыщения в формуле MESFET определяется как мера чувствительности тока стока (Id) к изменениям напряжения затвор-исток (Vgs), когда транзистор работает в линейной области или в области малого сигнала. Крутизна транзистора MESFET обозначается символом G_m.

Как оценить Крутизна в области насыщения в MESFET с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Крутизна в области насыщения в MESFET, введите Выходная проводимость (g₀), Входное напряжение (V_i), Пороговое напряжение (V_G) & Напряжение отсечки (V_p) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Крутизна в области насыщения в MESFET

По какой формуле можно найти Крутизна в области насыщения в MESFET?

Формула Крутизна в области насыщения в MESFET выражается как Transconductance of the MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки)). Вот пример: 0.063072 = 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01)).

Как рассчитать Крутизна в области насыщения в MESFET?

С помощью Выходная проводимость (g₀), Входное напряжение (V_i), Пороговое напряжение (V_G) & Напряжение отсечки (V_p) мы можем найти Крутизна в области насыщения в MESFET, используя формулу - Transconductance of the MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки)). В этой формуле также используются функции Квадратный корень (sqrt).

Может ли Крутизна в области насыщения в MESFET быть отрицательным?

Нет, Крутизна в области насыщения в MESFET, измеренная в Электрическая проводимость не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Крутизна в области насыщения в MESFET?

Крутизна в области насыщения в MESFET обычно измеряется с использованием Сименс[S] для Электрическая проводимость. Мегасименс[S], Миллисименс[S], сименс[S] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Крутизна в области насыщения в MESFET.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Крутизна в области насыщения в MESFET Формула

Пример Крутизна в области насыщения в MESFET

Крутизна в области насыщения в MESFET Решение

Крутизна в области насыщения в MESFET Формула Элементы

Другие формулы в категории Транзисторные усилители

Как оценить Крутизна в области насыщения в MESFET?

FAQs на Крутизна в области насыщения в MESFET

Variable Name