FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Коэффициент смещения подложки Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Коэффициент смещения подложки — это параметр, используемый при моделировании полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Проверьте FAQs

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A}}{C ox}

γ_s - Коэффициент смещения подложки?N_A - Легирующая концентрация акцептора?C_ox - Оксидная емкость?[Charge-e] - Заряд электрона?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?

Пример Коэффициент смещения подложки

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Коэффициент смещения подложки выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Коэффициент смещения подложки выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Коэффициент смещения подложки выглядит как.

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32}}{3.9}

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32}}{3.9}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Коэффициент смещения подложки

Коэффициент смещения подложки Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Коэффициент смещения подложки?

Первый шаг Рассмотрим формулу

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A}}{C ox}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³}}{3.9F}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6}}{3.9}

Следующий шаг Оценивать

∴

γ s = 5.70407834987726E-07

Последний шаг Округление ответа

∴

γ s = 5.7E-7

Коэффициент смещения подложки Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Коэффициент смещения подложки

Коэффициент смещения подложки — это параметр, используемый при моделировании полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET).

Символ: γ_s

Измерение: NAЕдиница: Unitless

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Коэффициент смещения подложки

Легирующая концентрация акцептора

Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.

Символ: N_A

Измерение: Электронная плотностьЕдиница: electrons/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Легирующая концентрация акцептора

Оксидная емкость

Оксидная емкость относится к емкости, связанной с изолирующим оксидным слоем в структуре металл-оксид-полупроводник (МОП), например, в МОП-транзисторах.

Символ: C_ox

Измерение: ЕмкостьЕдиница: F

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Оксидная емкость

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

Диэлектрическая проницаемость кремния

Диэлектрическая проницаемость кремния измеряет его способность хранить электрическую энергию в электрическом поле, что жизненно важно в полупроводниковой технологии.

Символ: [Permitivity-silicon]

Ценить: 11.7

sqrt

Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории МОП-транзистор

Идти Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

C jsw = C j0sw \cdot x j

Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Идти Потенциал Ферми для типа P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Узнать больше OpenImg

Как оценить Коэффициент смещения подложки?

Оценщик Коэффициент смещения подложки использует Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора)/Оксидная емкость для оценки Коэффициент смещения подложки, Формула коэффициента смещения подложки определяется как параметр, используемый при моделировании устройств на полевых транзисторах металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Коэффициент смещения подложки обозначается символом γ_s.

Как оценить Коэффициент смещения подложки с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Коэффициент смещения подложки, введите Легирующая концентрация акцептора (N_A) & Оксидная емкость (C_ox) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Коэффициент смещения подложки

По какой формуле можно найти Коэффициент смещения подложки?

Формула Коэффициент смещения подложки выражается как Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора)/Оксидная емкость. Вот пример: 5.7E-7 = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9.

Как рассчитать Коэффициент смещения подложки?

С помощью Легирующая концентрация акцептора (N_A) & Оксидная емкость (C_ox) мы можем найти Коэффициент смещения подложки, используя формулу - Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора)/Оксидная емкость. В этой формуле также используются функции Заряд электрона, Диэлектрическая проницаемость кремния, константа(ы) и Квадратный корень (sqrt).

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Коэффициент смещения подложки Формула

Пример Коэффициент смещения подложки

Коэффициент смещения подложки Решение

Коэффициент смещения подложки Формула Элементы

Другие формулы в категории МОП-транзистор

Как оценить Коэффициент смещения подложки?

FAQs на Коэффициент смещения подложки

Variable Name