FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Концентрация донорской легирующей примеси Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Концентрация донорной легирующей примеси — это концентрация донорных атомов в единице объема. Проверьте FAQs

N d = \frac{I sat \cdot L t}{[Charge-e] \cdot W t \cdot μ n \cdot C dep}

N_d - Концентрация донорской легирующей примеси?I_sat - Ток насыщения?L_t - Длина транзистора?W_t - Ширина транзистора?μ_n - Электронная подвижность?C_dep - Емкость слоя обеднения?[Charge-e] - Заряд электрона?

Пример Концентрация донорской легирующей примеси

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Концентрация донорской легирующей примеси выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Концентрация донорской легирующей примеси выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Концентрация донорской легирующей примеси выглядит как.

1.7E+23 = \frac{2.015 \cdot 3.2}{1.6E-19 \cdot 5.5 \cdot 30 \cdot 1.4}

1.7E+23electrons/m³ = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{1.6E-19C \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

1.7E+23 = \frac{2.015 \cdot 3.2}{1.6E-19 \cdot 5.5 \cdot 30 \cdot 1.4}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Интегральные схемы (ИС) » fx Концентрация донорской легирующей примеси

Концентрация донорской легирующей примеси Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Концентрация донорской легирующей примеси?

Первый шаг Рассмотрим формулу

N d = \frac{I sat \cdot L t}{[Charge-e] \cdot W t \cdot μ n \cdot C dep}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{[Charge-e] \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{1.6E-19C \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2E-6m}{1.6E-19C \cdot 5.5E-6m \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4E-6F}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

N d = \frac{2.015 \cdot 3.2E-6}{1.6E-19 \cdot 5.5E-6 \cdot 30 \cdot 1.4E-6}

Следующий шаг Оценивать

∴

N d = 1.74221865211214E+23electrons/m³

Последний шаг Округление ответа

∴

N d = 1.7E+23electrons/m³

Концентрация донорской легирующей примеси Формула Элементы

Переменные

Константы

Концентрация донорской легирующей примеси

Концентрация донорной легирующей примеси — это концентрация донорных атомов в единице объема.

Символ: N_d

Измерение: Электронная плотностьЕдиница: electrons/m³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Концентрация донорской легирующей примеси

Ток насыщения

Ток насыщения — это максимальный ток, который может протекать через транзистор, когда он полностью открыт.

Символ: I_sat

Измерение: Электрический токЕдиница: A

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Ток насыщения

Длина транзистора

Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.

Символ: L_t

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Длина транзистора

Ширина транзистора

Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.

Символ: W_t

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Ширина транзистора

Электронная подвижность

Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.

Символ: μ_n

Измерение: МобильностьЕдиница: m²/V*s

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Электронная подвижность

Емкость слоя обеднения

Емкость истощенного слоя на единицу площади — это емкость истощенного слоя на единицу площади.

Символ: C_dep

Измерение: ЕмкостьЕдиница: μF

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Емкость слоя обеднения

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

Другие формулы в категории Изготовление МОП-ИС

Идти Эффект тела в MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Идти Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Идти Ток стока MOSFET в области насыщения

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

Идти Сопротивление канала

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Концентрация донорской легирующей примеси?

Оценщик Концентрация донорской легирующей примеси использует Donor Dopant Concentration = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения) для оценки Концентрация донорской легирующей примеси, Формула концентрации донорной легирующей примеси определяется как концентрация донорных атомов, намеренно введенных в полупроводниковый материал для увеличения количества свободных носителей заряда (электронов), доступных для проводимости. Концентрация донорской легирующей примеси обозначается символом N_d.

Как оценить Концентрация донорской легирующей примеси с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Концентрация донорской легирующей примеси, введите Ток насыщения (I_sat), Длина транзистора (L_t), Ширина транзистора (W_t), Электронная подвижность (μ_n) & Емкость слоя обеднения (C_dep) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Концентрация донорской легирующей примеси

По какой формуле можно найти Концентрация донорской легирующей примеси?

Формула Концентрация донорской легирующей примеси выражается как Donor Dopant Concentration = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения). Вот пример: 1.7E+23 = (2.015*3.2E-06)/([Charge-e]*5.5E-06*30*1.4E-06).

Как рассчитать Концентрация донорской легирующей примеси?

С помощью Ток насыщения (I_sat), Длина транзистора (L_t), Ширина транзистора (W_t), Электронная подвижность (μ_n) & Емкость слоя обеднения (C_dep) мы можем найти Концентрация донорской легирующей примеси, используя формулу - Donor Dopant Concentration = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения). В этой формуле также используется Заряд электрона константа(ы).

Может ли Концентрация донорской легирующей примеси быть отрицательным?

Нет, Концентрация донорской легирующей примеси, измеренная в Электронная плотность не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Концентрация донорской легирующей примеси?

Концентрация донорской легирующей примеси обычно измеряется с использованием Электронов на кубический метр[electrons/m³] для Электронная плотность. Электронов на кубический сантиметр[electrons/m³] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Концентрация донорской легирующей примеси.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Концентрация донорской легирующей примеси Формула

Пример Концентрация донорской легирующей примеси

Концентрация донорской легирующей примеси Решение

Концентрация донорской легирующей примеси Формула Элементы

Другие формулы в категории Изготовление МОП-ИС

Как оценить Концентрация донорской легирующей примеси?

FAQs на Концентрация донорской легирующей примеси

Variable Name