FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Заложенный потенциал в регионе истощения Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Встроенное напряжение — это характеристическое напряжение, существующее на полупроводниковом устройстве. Проверьте FAQs

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Φ_B0 - Встроенное напряжение?N_A - Легирующая концентрация акцептора?Φ_f - Объемный потенциал Ферми?[Charge-e] - Заряд электрона?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?

Пример Заложенный потенциал в регионе истощения

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Заложенный потенциал в регионе истощения выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Заложенный потенциал в регионе истощения выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Заложенный потенциал в регионе истощения выглядит как.

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

-1.6E-6V = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Заложенный потенциал в регионе истощения

Заложенный потенциал в регионе истощения Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Заложенный потенциал в регионе истощения?

Первый шаг Рассмотрим формулу

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

Следующий шаг Оценивать

∴

Φ B0 = -1.57302306783086E-06V

Последний шаг Округление ответа

∴

Φ B0 = -1.6E-6V

Заложенный потенциал в регионе истощения Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Встроенное напряжение

Встроенное напряжение — это характеристическое напряжение, существующее на полупроводниковом устройстве.

Символ: Φ_B0

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Встроенное напряжение

Легирующая концентрация акцептора

Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.

Символ: N_A

Измерение: Электронная плотностьЕдиница: electrons/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Легирующая концентрация акцептора

Объемный потенциал Ферми

Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.

Символ: Φ_f

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Объемный потенциал Ферми

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

Диэлектрическая проницаемость кремния

Диэлектрическая проницаемость кремния измеряет его способность хранить электрическую энергию в электрическом поле, что жизненно важно в полупроводниковой технологии.

Символ: [Permitivity-silicon]

Ценить: 11.7

sqrt

Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

modulus

Модуль числа — это остаток от деления этого числа на другое число.

Синтаксис: modulus

Другие формулы в категории МОП-транзистор

Идти Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

C jsw = C j0sw \cdot x j

Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Идти Потенциал Ферми для типа P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Узнать больше OpenImg

Как оценить Заложенный потенциал в регионе истощения?

Оценщик Заложенный потенциал в регионе истощения использует Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(-2*Объемный потенциал Ферми))) для оценки Встроенное напряжение, Формула встроенного потенциала в обедненной области определяется как напряжение, установленное в этой обедненной области, когда pn-переход находится в тепловом равновесии. Встроенное напряжение обозначается символом Φ_B0.

Как оценить Заложенный потенциал в регионе истощения с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Заложенный потенциал в регионе истощения, введите Легирующая концентрация акцептора (N_A) & Объемный потенциал Ферми (Φ_f) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Заложенный потенциал в регионе истощения

По какой формуле можно найти Заложенный потенциал в регионе истощения?

Формула Заложенный потенциал в регионе истощения выражается как Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(-2*Объемный потенциал Ферми))). Вот пример: -1.6E-6 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(-2*0.25))).

Как рассчитать Заложенный потенциал в регионе истощения?

С помощью Легирующая концентрация акцептора (N_A) & Объемный потенциал Ферми (Φ_f) мы можем найти Заложенный потенциал в регионе истощения, используя формулу - Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(-2*Объемный потенциал Ферми))). В этой формуле также используются функции Заряд электрона, Диэлектрическая проницаемость кремния, константа(ы) и , Квадратный корень (sqrt), Модуль (модуль).

Может ли Заложенный потенциал в регионе истощения быть отрицательным?

Да, Заложенный потенциал в регионе истощения, измеренная в Электрический потенциал может, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Заложенный потенциал в регионе истощения?

Заложенный потенциал в регионе истощения обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Заложенный потенциал в регионе истощения.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица