FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Потенциал перехода на боковой стенке с нулевым смещением — это встроенный потенциал в переходе на боковой стенке определенных транзисторных структур. Проверьте FAQs

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A(sw) \cdot N D}{N A(sw) + N D}) \cdot \frac{1}{Φ osw}}

C_j0sw - Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением?N_A(sw) - Плотность легирования боковой стенки?N_D - Допинговая концентрация донора?Φ_osw - Заложенный потенциал соединений боковых стенок?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?[Charge-e] - Заряд электрона?

Пример Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением выглядит как.

1E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{0.35 \cdot 3.01}{0.35 + 3.01}) \cdot \frac{1}{3.2E-5}}

1E-7F = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3.01electrons/cm³}{0.35electrons/m³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

1E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{0.35 \cdot 3.01}{0.35 + 3.01}) \cdot \frac{1}{3.2E-5}}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Усилители » fx Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением?

Первый шаг Рассмотрим формулу

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A(sw) \cdot N D}{N A(sw) + N D}) \cdot \frac{1}{Φ osw}}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3.01electrons/cm³}{0.35electrons/m³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3.01electrons/cm³}{0.35electrons/m³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3E+6electrons/m³}{0.35electrons/m³ + 3E+6electrons/m³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{0.35 \cdot 3E+6}{0.35 + 3E+6}) \cdot \frac{1}{3.2E-5}}

Следующий шаг Оценивать

∴

C j0sw = 1.01249324812588E-07F

Последний шаг Округление ответа

∴

C j0sw = 1E-7F

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением

Потенциал перехода на боковой стенке с нулевым смещением — это встроенный потенциал в переходе на боковой стенке определенных транзисторных структур.

Символ: C_j0sw

Измерение: ЕмкостьЕдиница: F

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением

Плотность легирования боковой стенки

Плотность легирования боковых стенок относится к концентрации атомов примеси вдоль боковых стенок транзисторной структуры.

Символ: N_A(sw)

Измерение: Электронная плотностьЕдиница: electrons/m³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Плотность легирования боковой стенки

Допинговая концентрация донора

Легирующая концентрация донора относится к концентрации донорных атомов, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.

Символ: N_D

Измерение: Электронная плотностьЕдиница: electrons/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Допинговая концентрация донора

Заложенный потенциал соединений боковых стенок

Под встроенным потенциалом боковых переходов понимается переход, образованный вдоль вертикальных или боковых поверхностей транзисторной структуры.

Символ: Φ_osw

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Заложенный потенциал соединений боковых стенок

Диэлектрическая проницаемость кремния

Диэлектрическая проницаемость кремния измеряет его способность хранить электрическую энергию в электрическом поле, что жизненно важно в полупроводниковой технологии.

Символ: [Permitivity-silicon]

Ценить: 11.7

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

sqrt

Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории МОП-транзисторные усилители

Идти Емкость перехода с нулевым смещением

C j0 = \sqrt{\frac{ε si \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D}) \cdot \frac{1}{Φ o}}

Как оценить Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением?

Оценщик Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением использует Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Плотность легирования боковой стенки*Допинговая концентрация донора)/(Плотность легирования боковой стенки+Допинговая концентрация донора))*1/Заложенный потенциал соединений боковых стенок) для оценки Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением, Формула емкости бокового перехода с нулевым смещением определяется как встроенный потенциал в боковом переходе определенных транзисторных структур. Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением обозначается символом C_j0sw.

Как оценить Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением, введите Плотность легирования боковой стенки (N_A(sw)), Допинговая концентрация донора (N_D) & Заложенный потенциал соединений боковых стенок (Φ_osw) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением

По какой формуле можно найти Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением?

Формула Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением выражается как Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Плотность легирования боковой стенки*Допинговая концентрация донора)/(Плотность легирования боковой стенки+Допинговая концентрация донора))*1/Заложенный потенциал соединений боковых стенок). Вот пример: 4.6E-10 = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05).

Как рассчитать Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением?

С помощью Плотность легирования боковой стенки (N_A(sw)), Допинговая концентрация донора (N_D) & Заложенный потенциал соединений боковых стенок (Φ_osw) мы можем найти Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением, используя формулу - Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Плотность легирования боковой стенки*Допинговая концентрация донора)/(Плотность легирования боковой стенки+Допинговая концентрация донора))*1/Заложенный потенциал соединений боковых стенок). В этой формуле также используются функции Диэлектрическая проницаемость кремния, Заряд электрона, константа(ы) и Квадратный корень (sqrt).

Может ли Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением быть отрицательным?

Нет, Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением, измеренная в Емкость не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением?

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением обычно измеряется с использованием фарада[F] для Емкость. килофарад[F], Миллифарад[F], Микрофарад[F] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением Формула

Пример Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением Решение

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением Формула Элементы

Другие формулы в категории МОП-транзисторные усилители

Как оценить Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением?

FAQs на Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением

Variable Name