FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала определяется как дополнительный вклад в пороговое напряжение из-за эффектов узкого канала в MOSFET. Проверьте FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Дополнительное пороговое напряжение узкого канала?k - Эмпирический параметр?x_dm - Вертикальное масштабное истощение субстрата?W_c - ширина канала?C_oxide - Оксидная емкость на единицу площади?N_A - Концентрация акцептора?Φ_s - Поверхностный потенциал?[Charge-e] - Заряд электрона?[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?

Пример Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС выглядит как.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Изготовление СБИС » fx Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС?

Первый шаг Рассмотрим формулу

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Следующий шаг Оценивать

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Последний шаг Округление ответа

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала определяется как дополнительный вклад в пороговое напряжение из-за эффектов узкого канала в MOSFET.

Символ: ΔV_T0(nc)

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Дополнительное пороговое напряжение узкого канала

Эмпирический параметр

Эмпирический параметр — это константа или значение, используемое в модели, уравнении или теории, которое получено на основе эксперимента и наблюдения, а не выведено теоретически.

Символ: k

Измерение: NAЕдиница: Unitless

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Эмпирический параметр

Вертикальное масштабное истощение субстрата

Вертикальная степень объемного истощения подложки относится к глубине области истощения подложки (объема) MOSFET.

Символ: x_dm

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Вертикальное масштабное истощение субстрата

ширина канала

Ширина канала определяется как физическая ширина полупроводникового канала между выводами истока и стока внутри транзисторной структуры.

Символ: W_c

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска ширина канала

Оксидная емкость на единицу площади

Оксидная емкость на единицу площади определяется как емкость на единицу площади изолирующего оксидного слоя, который отделяет металлический затвор от полупроводникового материала.

Символ: C_oxide

Измерение: Оксидная емкость на единицу площадиЕдиница: μF/cm²

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Оксидная емкость на единицу площади

Концентрация акцептора

Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.

Символ: N_A

Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Концентрация акцептора

Поверхностный потенциал

Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.

Символ: Φ_s

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Поверхностный потенциал

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

Диэлектрическая проницаемость вакуума

Диэлектрическая проницаемость вакуума — это фундаментальная физическая константа, которая описывает способность вакуума обеспечивать передачу линий электрического поля.

Символ: [Permitivity-vacuum]

Ценить: 8.85E-12 F/m

Диэлектрическая проницаемость кремния

Диэлектрическая проницаемость кремния измеряет его способность хранить электрическую энергию в электрическом поле, что жизненно важно в полупроводниковой технологии.

Символ: [Permitivity-silicon]

Ценить: 11.7

sqrt

Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

abs

Абсолютное значение числа — это его расстояние от нуля на числовой прямой. Это всегда положительное значение, поскольку оно представляет величину числа без учета его направления.

Синтаксис: abs(Number)

Другие формулы в категории Оптимизация материалов СБИС

Идти Коэффициент эффекта тела

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Идти Плата за канал

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Узнать больше OpenImg

Как оценить Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС?

Оценщик Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС использует Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Эмпирический параметр*Вертикальное масштабное истощение субстрата)/(ширина канала*Оксидная емкость на единицу площади))*(sqrt(2*[Charge-e]*Концентрация акцептора*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Поверхностный потенциал))) для оценки Дополнительное пороговое напряжение узкого канала, Формула VLSI для дополнительного порогового напряжения узкого канала определяется как дополнительный вклад в пороговое напряжение из-за эффектов узкого канала в MOSFET. Дополнительное пороговое напряжение узкого канала обозначается символом ΔV_T0(nc).

Как оценить Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС, введите Эмпирический параметр (k), Вертикальное масштабное истощение субстрата (x_dm), ширина канала (W_c), Оксидная емкость на единицу площади (C_oxide), Концентрация акцептора (N_A) & Поверхностный потенциал (Φ_s) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС

По какой формуле можно найти Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС?

Формула Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС выражается как Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Эмпирический параметр*Вертикальное масштабное истощение субстрата)/(ширина канала*Оксидная емкость на единицу площади))*(sqrt(2*[Charge-e]*Концентрация акцептора*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Поверхностный потенциал))). Вот пример: 2.382463 = ((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(sqrt(2*[Charge-e]*1E+22*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*6.86))).

Как рассчитать Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС?

С помощью Эмпирический параметр (k), Вертикальное масштабное истощение субстрата (x_dm), ширина канала (W_c), Оксидная емкость на единицу площади (C_oxide), Концентрация акцептора (N_A) & Поверхностный потенциал (Φ_s) мы можем найти Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС, используя формулу - Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Эмпирический параметр*Вертикальное масштабное истощение субстрата)/(ширина канала*Оксидная емкость на единицу площади))*(sqrt(2*[Charge-e]*Концентрация акцептора*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Поверхностный потенциал))). В этой формуле также используются функции Заряд электрона, Диэлектрическая проницаемость вакуума, Диэлектрическая проницаемость кремния, константа(ы) и , Квадратный корень (sqrt), Абсолютный (абс).

Может ли Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС быть отрицательным?

Нет, Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС, измеренная в Электрический потенциал не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС?

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС Формула

Пример Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС Решение

Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС Формула Элементы

Другие формулы в категории Оптимизация материалов СБИС

Как оценить Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС?

FAQs на Дополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИС

Variable Name