FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Глубина истощения Регион, связанный с источником Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Область истощения источника — это область истощения, образующаяся вблизи клеммы истока, когда напряжение подается на клемму затвора. Проверьте FAQs

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot Φ o}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dS - Регион глубины истощения источника?Φ_o - Встроенный потенциал соединения?N_A - Легирующая концентрация акцептора?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?[Charge-e] - Заряд электрона?

Пример Глубина истощения Регион, связанный с источником

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Глубина истощения Регион, связанный с источником выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Глубина истощения Регион, связанный с источником выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Глубина истощения Регион, связанный с источником выглядит как.

1.5E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

1.5E+7m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

1.5E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx Глубина истощения Регион, связанный с источником

Глубина истощения Регион, связанный с источником Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Глубина истощения Регион, связанный с источником?

Первый шаг Рассмотрим формулу

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot Φ o}{[Charge-e] \cdot N A}}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 2V}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Следующий шаг Оценивать

∴

x dS = 14875814.9060508m

Последний шаг Округление ответа

∴

x dS = 1.5E+7m

Глубина истощения Регион, связанный с источником Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Регион глубины истощения источника

Область истощения источника — это область истощения, образующаяся вблизи клеммы истока, когда напряжение подается на клемму затвора.

Символ: x_dS

Измерение: ДлинаЕдиница: m

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Регион глубины истощения источника

Встроенный потенциал соединения

Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.

Символ: Φ_o

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Встроенный потенциал соединения

Легирующая концентрация акцептора

Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.

Символ: N_A

Измерение: Электронная плотностьЕдиница: electrons/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Легирующая концентрация акцептора

Диэлектрическая проницаемость кремния

Диэлектрическая проницаемость кремния измеряет его способность хранить электрическую энергию в электрическом поле, что жизненно важно в полупроводниковой технологии.

Символ: [Permitivity-silicon]

Ценить: 11.7

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

sqrt

Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории МОП-транзистор

Идти Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

C jsw = C j0sw \cdot x j

Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Идти Потенциал Ферми для типа P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Узнать больше OpenImg

Как оценить Глубина истощения Регион, связанный с источником?

Оценщик Глубина истощения Регион, связанный с источником использует Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Встроенный потенциал соединения)/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора)) для оценки Регион глубины истощения источника, Область истощения, связанная с формулой источника, определяется как Область истощения формируется вблизи клеммы истока, когда к клемме затвора прикладывается напряжение. Регион глубины истощения источника обозначается символом x_dS.

Как оценить Глубина истощения Регион, связанный с источником с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Глубина истощения Регион, связанный с источником, введите Встроенный потенциал соединения (Φ_o) & Легирующая концентрация акцептора (N_A) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Глубина истощения Регион, связанный с источником

По какой формуле можно найти Глубина истощения Регион, связанный с источником?

Формула Глубина истощения Регион, связанный с источником выражается как Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Встроенный потенциал соединения)/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора)). Вот пример: 1.5E+7 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*1320000)).

Как рассчитать Глубина истощения Регион, связанный с источником?

С помощью Встроенный потенциал соединения (Φ_o) & Легирующая концентрация акцептора (N_A) мы можем найти Глубина истощения Регион, связанный с источником, используя формулу - Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Встроенный потенциал соединения)/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора)). В этой формуле также используются функции Диэлектрическая проницаемость кремния, Заряд электрона, константа(ы) и Квадратный корень (sqrt).

Может ли Глубина истощения Регион, связанный с источником быть отрицательным?

Нет, Глубина истощения Регион, связанный с источником, измеренная в Длина не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Глубина истощения Регион, связанный с источником?

Глубина истощения Регион, связанный с источником обычно измеряется с использованием Метр[m] для Длина. Миллиметр[m], километр[m], Дециметр[m] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Глубина истощения Регион, связанный с источником.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Глубина истощения Регион, связанный с источником Формула

Пример Глубина истощения Регион, связанный с источником

Глубина истощения Регион, связанный с источником Решение

Глубина истощения Регион, связанный с источником Формула Элементы

Другие формулы в категории МОП-транзистор

Как оценить Глубина истощения Регион, связанный с источником?

FAQs на Глубина истощения Регион, связанный с источником

Variable Name