FormulaDen logo
FormulaDen.com
Search
физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Величина электронного заряда в канале MOSFET Формула

Fx Копировать
LaTeX Копировать
Электронный заряд в канале относится к количеству заряда, переносимого электроном в зоне проводимости полупроводникового материала, используемого в устройстве. Проверьте FAQs
Qe=Cox⋅Wc⋅L⋅Veff
Qe - Заряд электрона в канале?Cox - Оксидная емкость?Wc - ширина канала?L - Длина канала?Veff - Эффективное напряжение?

Пример Величина электронного заряда в канале MOSFET

С ценностями
С единицами
Только пример

Вот как уравнение Величина электронного заряда в канале MOSFET выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Величина электронного заряда в канале MOSFET выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Величина электронного заряда в канале MOSFET выглядит как.

1.598Edit=940Edit⋅10Edit⋅100Edit⋅1.7Edit
Решение
Копировать
Сброс
Делиться
Вы здесь -
HomeIcon Дом » Category Инженерное дело » Category Электроника » Category Аналоговая электроника » fx Величина электронного заряда в канале MOSFET

Величина электронного заряда в канале MOSFET Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Величина электронного заряда в канале MOSFET?

Первый шаг Рассмотрим формулу
Qe=Cox⋅Wc⋅L⋅Veff
Следующий шаг Заменить значения переменных
∴ Qe=940μF⋅10μm⋅100μm⋅1.7V
Следующий шаг Конвертировать единицы
∴ Qe=0.0009F⋅1E-5m⋅0.0001m⋅1.7V
Следующий шаг Подготовьтесь к оценке
∴ Qe=0.0009⋅1E-5⋅0.0001⋅1.7
Следующий шаг Оценивать
∴Qe=1.598E-12C
Последний шаг Преобразовать в единицу вывода
∴Qe=1.598pC

Величина электронного заряда в канале MOSFET Формула Элементы

Переменные
Заряд электрона в канале
Электронный заряд в канале относится к количеству заряда, переносимого электроном в зоне проводимости полупроводникового материала, используемого в устройстве.
Символ: Qe
Измерение: Электрический зарядЕдиница: pC
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Формулы для поиска Заряд электрона в каналеOpen Variable
Оксидная емкость
Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.
Символ: Cox
Измерение: ЕмкостьЕдиница: μF
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Формулы для поиска Оксидная емкостьOpen Variable
ширина канала
Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).
Символ: Wc
Измерение: ДлинаЕдиница: μm
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Формулы для поиска ширина каналаOpen Variable
Длина канала
Длина канала относится к расстоянию между клеммами истока и стока полевого транзистора (FET).
Символ: L
Измерение: ДлинаЕдиница: μm
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Формулы для поиска Длина каналаOpen Variable
Эффективное напряжение
Эффективное напряжение в MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) — это напряжение, которое определяет поведение устройства. Оно также известно как напряжение затвор-исток.
Символ: Veff
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Формулы для поиска Эффективное напряжениеOpen Variable

Другие формулы в категории Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель

​Идти Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET
Wc=CocCox⋅Lov
​Идти Емкость перекрытия MOSFET
Coc=Wc⋅Cox⋅Lov
​Идти Суммарная емкость между затвором и каналом MOSFET
Cg=Cox⋅Wc⋅L
​Идти Частота перехода MOSFET
ft=gm2⋅π⋅(Csg+Cgd)

Как оценить Величина электронного заряда в канале MOSFET?

Оценщик Величина электронного заряда в канале MOSFET использует Electron Charge in Channel = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала*Эффективное напряжение для оценки Заряд электрона в канале, Величина электронного заряда в канале полевого МОП-транзистора определяется выражением |Q| = Cox (WL)Vov, где Cox, называемая оксидной емкостью, представляет собой емкость плоского конденсатора на единицу площади затвора (в единицах Ф/м. Заряд электрона в канале обозначается символом Qe.

Как оценить Величина электронного заряда в канале MOSFET с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Величина электронного заряда в канале MOSFET, введите Оксидная емкость (Cox), ширина канала (Wc), Длина канала (L) & Эффективное напряжение (Veff) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Величина электронного заряда в канале MOSFET

По какой формуле можно найти Величина электронного заряда в канале MOSFET?
Формула Величина электронного заряда в канале MOSFET выражается как Electron Charge in Channel = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала*Эффективное напряжение. Вот пример: 1.6E+12 = 0.00094*1E-05*0.0001*1.7.
Как рассчитать Величина электронного заряда в канале MOSFET?
С помощью Оксидная емкость (Cox), ширина канала (Wc), Длина канала (L) & Эффективное напряжение (Veff) мы можем найти Величина электронного заряда в канале MOSFET, используя формулу - Electron Charge in Channel = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала*Эффективное напряжение.
Может ли Величина электронного заряда в канале MOSFET быть отрицательным?
Да, Величина электронного заряда в канале MOSFET, измеренная в Электрический заряд может, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Величина электронного заряда в канале MOSFET?
Величина электронного заряда в канале MOSFET обычно измеряется с использованием Пико кулон[pC] для Электрический заряд. Кулон[pC], килокулон[pC], Милликулон[pC] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Величина электронного заряда в канале MOSFET.
About | Contact | Disclaimer | Terms | Privacy Policy
© 2024. Developed & Maintained by softUsvista Inc.
Copied!