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Fórmula Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

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A velocidade de deriva do elétron é devido ao campo elétrico que, por sua vez, faz com que os elétrons do canal se desloquem em direção ao dreno com uma velocidade. Verifique FAQs

v d = μ n \cdot E L

v_d - Velocidade de deriva de elétrons?μ_n - Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal?E_L - Campo elétrico ao longo do comprimento do canal?

Exemplo de Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS.

23.32 = 2.2 \cdot 10.6

23.32m/s = 2.2m²/V*s \cdot 10.6V

23.32 = 2.2 \cdot 10.6

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

v d = μ n \cdot E L

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

v d = 2.2m²/V*s \cdot 10.6V

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

v d = 2.2 \cdot 10.6

Último passo Avalie

∴

v d = 23.32m/s

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Velocidade de deriva de elétrons

A velocidade de deriva do elétron é devido ao campo elétrico que, por sua vez, faz com que os elétrons do canal se desloquem em direção ao dreno com uma velocidade.

Símbolo: v_d

Medição: VelocidadeUnidade: m/s

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Velocidade de deriva de elétrons

Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal

A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou conduzirem dentro da camada superficial de um material quando submetidos a um campo elétrico.

Símbolo: μ_n

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal

Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

O campo elétrico ao longo do comprimento do canal é a força por unidade de carga que uma partícula experimenta à medida que se move através do canal.

Símbolo: E_L

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

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Ir NMOS como resistência linear

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Ir Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Ir Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Ir Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

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Como avaliar Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS?

O avaliador Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS usa Electron Drift Velocity = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal para avaliar Velocidade de deriva de elétrons, A velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS é por causa do campo elétrico que, por sua vez, faz com que os elétrons do canal se desloquem em direção ao dreno com uma velocidade. Velocidade de deriva de elétrons é denotado pelo símbolo v_d.

Como avaliar Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS, insira Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal (μ_n) & Campo elétrico ao longo do comprimento do canal (E_L) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

Qual é a fórmula para encontrar Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS?

A fórmula de Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS é expressa como Electron Drift Velocity = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal. Aqui está um exemplo: 23.32 = 2.2*10.6.

Como calcular Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS?

Com Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal (μ_n) & Campo elétrico ao longo do comprimento do canal (E_L) podemos encontrar Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS usando a fórmula - Electron Drift Velocity = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal.

O Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS pode ser negativo?

Sim, o Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS, medido em Velocidade pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS?

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS geralmente é medido usando Metro por segundo[m/s] para Velocidade. Metro por minuto[m/s], Metro por hora[m/s], Quilómetro/hora[m/s] são as poucas outras unidades nas quais Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS pode ser medido.

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Fórmula Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

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