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Fórmula Transcondutância na região de saturação no MESFET

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A transcondutância do MESFET é um parâmetro chave nos MESFETs, representando a mudança na corrente de dreno em relação à mudança na tensão porta-fonte. Verifique FAQs

G m = g 0 \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V G}{V p}})

G_m - Transcondutância do MESFET?g₀ - Condutância de saída?V_i - Tensão de entrada?V_G - Tensão de limiar?V_p - Tensão de pinçamento?

Exemplo de Transcondutância na região de saturação no MESFET

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Transcondutância na região de saturação no MESFET com valores.

Esta é a aparência da equação Transcondutância na região de saturação no MESFET com unidades.

Esta é a aparência da equação Transcondutância na região de saturação no MESFET.

0.0631 = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

0.0631S = 0.152S \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25V - 1.562V}{2.01V}})

0.0631 = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Transcondutância na região de saturação no MESFET Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Transcondutância na região de saturação no MESFET?

Primeiro passo Considere a fórmula

G m = g 0 \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V G}{V p}})

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

G m = 0.152S \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25V - 1.562V}{2.01V}})

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

G m = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

Próxima Etapa Avalie

∴

G m = 0.0630717433777618S

Último passo Resposta de arredondamento

∴

G m = 0.0631S

Transcondutância na região de saturação no MESFET Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Transcondutância do MESFET

A transcondutância do MESFET é um parâmetro chave nos MESFETs, representando a mudança na corrente de dreno em relação à mudança na tensão porta-fonte.

Símbolo: G_m

Medição: Condutância ElétricaUnidade: S

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Transcondutância do MESFET

Condutância de saída

A Condutância de Saída é um parâmetro que caracteriza o comportamento de um transistor de efeito de campo (FET) em sua região de saturação.

Símbolo: g₀

Medição: Condutância ElétricaUnidade: S

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Condutância de saída

Tensão de entrada

Tensão de entrada é a diferença de potencial elétrico aplicada aos terminais de entrada de um componente ou sistema.

Símbolo: V_i

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de entrada

Tensão de limiar

A tensão limite é referida como a tensão na qual o transistor começa a conduzir.

Símbolo: V_G

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Tensão de pinçamento

A tensão de pinçamento representa a tensão da porta-fonte na qual o canal do MESFET fecha, ou "comprime".

Símbolo: V_p

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de pinçamento

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

Outras fórmulas na categoria Amplificadores transistorizados

Ir Frequência de corte MESFET

f co = \frac{G m}{2 \cdot π \cdot C gs}

Ir Frequência máxima de operação

f max = \frac{f co}{2} \cdot \sqrt{\frac{R d}{R s + R i + R g}}

Ir Frequência Máxima de Oscilação

f max o = \frac{v s}{2 \cdot π \cdot L c}

Ir Fator de Ruído GaAs MESFET

NF = 1 + 2 \cdot ω \cdot \frac{C gs}{G m} \cdot \sqrt{\frac{R s - R gate}{R i}}

Ver mais

Como avaliar Transcondutância na região de saturação no MESFET?

O avaliador Transcondutância na região de saturação no MESFET usa Transconductance of the MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento)) para avaliar Transcondutância do MESFET, A fórmula Transcondutância na região de saturação na fórmula MESFET é definida como mede a sensibilidade da corrente de dreno (Id) às mudanças na tensão porta-fonte (Vgs) quando o transistor está operando em sua região linear ou de pequeno sinal. Transcondutância do MESFET é denotado pelo símbolo G_m.

Como avaliar Transcondutância na região de saturação no MESFET usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Transcondutância na região de saturação no MESFET, insira Condutância de saída (g₀), Tensão de entrada (V_i), Tensão de limiar (V_G) & Tensão de pinçamento (V_p) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Transcondutância na região de saturação no MESFET

Qual é a fórmula para encontrar Transcondutância na região de saturação no MESFET?

A fórmula de Transcondutância na região de saturação no MESFET é expressa como Transconductance of the MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento)). Aqui está um exemplo: 0.063072 = 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01)).

Como calcular Transcondutância na região de saturação no MESFET?

Com Condutância de saída (g₀), Tensão de entrada (V_i), Tensão de limiar (V_G) & Tensão de pinçamento (V_p) podemos encontrar Transcondutância na região de saturação no MESFET usando a fórmula - Transconductance of the MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento)). Esta fórmula também usa funções Raiz quadrada (sqrt).

O Transcondutância na região de saturação no MESFET pode ser negativo?

Não, o Transcondutância na região de saturação no MESFET, medido em Condutância Elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Transcondutância na região de saturação no MESFET?

Transcondutância na região de saturação no MESFET geralmente é medido usando Siemens[S] para Condutância Elétrica. Megasiemens[S], Millisiemens[S], Mho[S] são as poucas outras unidades nas quais Transcondutância na região de saturação no MESFET pode ser medido.

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Fórmula Transcondutância na região de saturação no MESFET

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