FormulaDen.com

Física Química Matemática Engenheiro químico Civil Elétrico Eletrônicos Eletrônica e Instrumentação Ciência de materiais Mecânico Engenharia de Produção Financeiro Saúde

Fórmula Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

IrTranscondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno Fórmula

IrTranscondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive Fórmula

Fx cópia de

LaTeX cópia de

O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor. Verifique FAQs

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

k'_n - Parâmetro de Transcondutância do Processo?g_m - Transcondutância?WL - Proporção da tela?V_gs - Tensão Gate-Fonte?V_th - Tensão de limiar?

Exemplo de Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo com valores.

Esta é a aparência da equação Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo com unidades.

Esta é a aparência da equação Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo.

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

0.0156A/V² = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

Calcular

Recalcular

Solução

cópia de

Reiniciar

Você está aqui -

Lar » Category

Engenharia » Category

Eletrônicos » Category

Eletrônica Analógica » fx Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo?

Primeiro passo Considere a fórmula

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

k' n = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

k' n = \frac{0.0005S}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

k' n = \frac{0.0005}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

Próxima Etapa Avalie

∴

k' n = 0.015625A/V²

Último passo Resposta de arredondamento

∴

k' n = 0.0156A/V²

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo Fórmula Elementos

Variáveis

Parâmetro de Transcondutância do Processo

O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.

Símbolo: k'_n

Medição: Parâmetro de TranscondutânciaUnidade: A/V²

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo

Transcondutância

A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.

Símbolo: g_m

Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Transcondutância

Proporção da tela

A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte

Símbolo: WL

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Proporção da tela

Tensão Gate-Fonte

A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.

Símbolo: V_gs

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão Gate-Fonte

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_th

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Outras fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo

Ir Transcondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

Ir Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

Outras fórmulas na categoria Transcondutância

Ir Drenar corrente usando transcondutância

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

Ir Transcondutância dada a corrente de drenagem

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

Ir Transcondutância dada o parâmetro de transcondutância do processo

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

Ir Transcondutância usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

Ver mais

Como avaliar Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo?

O avaliador Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo usa Process Transconductance Parameter = Transcondutância/(Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)) para avaliar Parâmetro de Transcondutância do Processo, A Transcondutância do MOSFET usando o Parâmetro de Transcondutância do Processo é a alteração na corrente de dreno dividida pela pequena alteração na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante. Parâmetro de Transcondutância do Processo é denotado pelo símbolo k'_n.

Como avaliar Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo, insira Transcondutância (g_m), Proporção da tela (WL), Tensão Gate-Fonte (V_gs) & Tensão de limiar (V_th) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

Qual é a fórmula para encontrar Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo?

A fórmula de Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo é expressa como Process Transconductance Parameter = Transcondutância/(Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)). Aqui está um exemplo: 0.015625 = 0.0005/(0.1*(4-3.68)).

Como calcular Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo?

Com Transcondutância (g_m), Proporção da tela (WL), Tensão Gate-Fonte (V_gs) & Tensão de limiar (V_th) podemos encontrar Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo usando a fórmula - Process Transconductance Parameter = Transcondutância/(Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)).

Quais são as outras maneiras de calcular Parâmetro de Transcondutância do Processo?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Parâmetro de Transcondutância do Processo-

Process Transconductance Parameter=Transconductance^2/(2*Aspect Ratio*Drain Current)
Process Transconductance Parameter=Transconductance/(Aspect Ratio*Overdrive Voltage)

O Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo pode ser negativo?

Sim, o Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo, medido em Parâmetro de Transcondutância pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo?

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo geralmente é medido usando Ampère por Volt Quadrado[A/V²] para Parâmetro de Transcondutância. Miliamperes por Volt quadrado[A/V²], Microamperes por Volt Quadrado[A/V²] são as poucas outras unidades nas quais Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo pode ser medido.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valor
: Unidade

Fórmula Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

​IrTranscondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno Fórmula

​IrTranscondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive Fórmula

Exemplo de Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo Solução

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo Fórmula Elementos

Outras fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo

Outras fórmulas na categoria Transcondutância

Como avaliar Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo?

FAQs sobre Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

Variable Name

IrTranscondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno Fórmula

IrTranscondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive Fórmula