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Fórmula Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

IrTranscondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno Fórmula

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O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor. Verifique FAQs

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

k'_n - Parâmetro de Transcondutância do Processo?g_m - Transcondutância?WL - Proporção da tela?V_ov - Tensão de ultrapassagem?

Exemplo de Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive com valores.

Esta é a aparência da equação Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive com unidades.

Esta é a aparência da equação Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive.

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot 0.32}

0.0156A/V² = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot 0.32V}

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot 0.32}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive?

Primeiro passo Considere a fórmula

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

k' n = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot 0.32V}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

k' n = \frac{0.0005S}{0.1 \cdot 0.32V}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

k' n = \frac{0.0005}{0.1 \cdot 0.32}

Próxima Etapa Avalie

∴

k' n = 0.015625A/V²

Último passo Resposta de arredondamento

∴

k' n = 0.0156A/V²

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive Fórmula Elementos

Variáveis

Parâmetro de Transcondutância do Processo

O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.

Símbolo: k'_n

Medição: Parâmetro de TranscondutânciaUnidade: A/V²

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo

Transcondutância

A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.

Símbolo: g_m

Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Transcondutância

Proporção da tela

A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte

Símbolo: WL

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Proporção da tela

Tensão de ultrapassagem

Tensão de overdrive é um termo usado em eletrônica e se refere ao nível de tensão aplicado a um dispositivo ou componente que excede sua tensão normal de operação.

Símbolo: V_ov

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de ultrapassagem

Outras fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo

Ir Transcondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

Ir Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

Outras fórmulas na categoria Transcondutância

Ir Drenar corrente usando transcondutância

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

Ir Transcondutância dada a corrente de drenagem

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

Ir Transcondutância dada o parâmetro de transcondutância do processo

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

Ir Transcondutância usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

Ver mais

Como avaliar Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive?

O avaliador Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive usa Process Transconductance Parameter = Transcondutância/(Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem) para avaliar Parâmetro de Transcondutância do Processo, A transcondutância do MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e a tensão de overdrive é a alteração na corrente de dreno dividida pela pequena alteração na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante. Parâmetro de Transcondutância do Processo é denotado pelo símbolo k'_n.

Como avaliar Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive, insira Transcondutância (g_m), Proporção da tela (WL) & Tensão de ultrapassagem (V_ov) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

Qual é a fórmula para encontrar Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive?

A fórmula de Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive é expressa como Process Transconductance Parameter = Transcondutância/(Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem). Aqui está um exemplo: 0.015625 = 0.0005/(0.1*0.32).

Como calcular Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive?

Com Transcondutância (g_m), Proporção da tela (WL) & Tensão de ultrapassagem (V_ov) podemos encontrar Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive usando a fórmula - Process Transconductance Parameter = Transcondutância/(Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem).

Quais são as outras maneiras de calcular Parâmetro de Transcondutância do Processo?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Parâmetro de Transcondutância do Processo-

Process Transconductance Parameter=Transconductance^2/(2*Aspect Ratio*Drain Current)
Process Transconductance Parameter=Transconductance/(Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage))

O Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive pode ser negativo?

Sim, o Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive, medido em Parâmetro de Transcondutância pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive?

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive geralmente é medido usando Ampère por Volt Quadrado[A/V²] para Parâmetro de Transcondutância. Miliamperes por Volt quadrado[A/V²], Microamperes por Volt Quadrado[A/V²] são as poucas outras unidades nas quais Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive pode ser medido.

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