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A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET). Verifique FAQs
Id=k'n⋅WcL⋅Vds⋅(Vov-12⋅Vds)
Id - Drenar corrente em NMOS?k'n - Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS?Wc - Largura do Canal?L - Comprimento do Canal?Vds - Tensão da Fonte de Dreno?Vov - Tensão Overdrive em NMOS?

Exemplo de Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS.

239.693Edit=2Edit⋅10Edit3Edit⋅8.43Edit⋅(8.48Edit-12⋅8.43Edit)
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Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula
Id=k'n⋅WcL⋅Vds⋅(Vov-12⋅Vds)
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
∴ Id=2mS⋅10μm3μm⋅8.43V⋅(8.48V-12⋅8.43V)
Próxima Etapa Converter unidades
∴ Id=0.002S⋅1E-5m3E-6m⋅8.43V⋅(8.48V-12⋅8.43V)
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
∴ Id=0.002⋅1E-53E-6⋅8.43⋅(8.48-12⋅8.43)
Próxima Etapa Avalie
∴Id=0.239693A
Último passo Converter para unidade de saída
∴Id=239.693mA

Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS Fórmula Elementos

Variáveis
Drenar corrente em NMOS
A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Símbolo: Id
Medição: Corrente elétricaUnidade: mA
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Fórmulas para encontrar Drenar corrente em NMOSOpen Variable
Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS
O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Símbolo: k'n
Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Fórmulas para encontrar Parâmetro de transcondutância do processo em NMOSOpen Variable
Largura do Canal
A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.
Símbolo: Wc
Medição: ComprimentoUnidade: μm
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Fórmulas para encontrar Largura do CanalOpen Variable
Comprimento do Canal
O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.
Símbolo: L
Medição: ComprimentoUnidade: μm
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Fórmulas para encontrar Comprimento do CanalOpen Variable
Tensão da Fonte de Dreno
Drain Source Voltage é um termo elétrico usado em eletrônica e especificamente em transistores de efeito de campo. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais Drain e Source do FET.
Símbolo: Vds
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Fórmulas para encontrar Tensão da Fonte de DrenoOpen Variable
Tensão Overdrive em NMOS
A tensão de overdrive no NMOS geralmente se refere à tensão aplicada a um dispositivo ou componente que excede sua tensão operacional normal.
Símbolo: Vov
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Fórmulas para encontrar Tensão Overdrive em NMOSOpen Variable

Outras fórmulas para encontrar Drenar corrente em NMOS

​Ir Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅Vds2)
​Ir Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅(Vds)2)
​Ir Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vgs-VT)2
​Ir Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vds)2

Outras fórmulas na categoria Aprimoramento do Canal N

​Ir Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS
vd=μn⋅EL
​Ir NMOS como resistência linear
rDS=Lμn⋅Cox⋅Wc⋅(Vgs-VT)
​Ir Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva
Ids=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vov)2
​Ir Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS
V=VA⋅L

Como avaliar Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS?

O avaliador Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS usa Drain Current in NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*Tensão da Fonte de Dreno*(Tensão Overdrive em NMOS-1/2*Tensão da Fonte de Dreno) para avaliar Drenar corrente em NMOS, O terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS, os MOSFETs apenas comutam a corrente que flui em uma direção; eles têm um diodo entre a fonte e o dreno na outra direção (em outras palavras, se o dreno (em um dispositivo de canal N) cair abaixo da tensão na fonte, a corrente fluirá da fonte para o dreno). Drenar corrente em NMOS é denotado pelo símbolo Id.

Como avaliar Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS, insira Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS (k'n), Largura do Canal (Wc), Comprimento do Canal (L), Tensão da Fonte de Dreno (Vds) & Tensão Overdrive em NMOS (Vov) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS

Qual é a fórmula para encontrar Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS?
A fórmula de Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS é expressa como Drain Current in NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*Tensão da Fonte de Dreno*(Tensão Overdrive em NMOS-1/2*Tensão da Fonte de Dreno). Aqui está um exemplo: 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*8.43*(8.48-1/2*8.43).
Como calcular Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS?
Com Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS (k'n), Largura do Canal (Wc), Comprimento do Canal (L), Tensão da Fonte de Dreno (Vds) & Tensão Overdrive em NMOS (Vov) podemos encontrar Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS usando a fórmula - Drain Current in NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*Tensão da Fonte de Dreno*(Tensão Overdrive em NMOS-1/2*Tensão da Fonte de Dreno).
Quais são as outras maneiras de calcular Drenar corrente em NMOS?
Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Drenar corrente em NMOS-
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*Drain Source Voltage^2)OpenImg
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)OpenImg
  • Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2OpenImg
O Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS pode ser negativo?
Não, o Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS?
Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS geralmente é medido usando Miliamperes[mA] para Corrente elétrica. Ampere[mA], Microampère[mA], Centiampere[mA] são as poucas outras unidades nas quais Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS pode ser medido.
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