Fórmula Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

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A corrente de drenagem de saturação é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte. Verifique FAQs
ids=12k'n(WcL)(Vov)2
ids - Corrente de drenagem de saturação?k'n - Parâmetro de Transcondutância do Processo?Wc - Largura do canal?L - Comprimento do canal?Vov - Tensão Efetiva?

Exemplo de Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação com valores.

Esta é a aparência da equação Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação com unidades.

Esta é a aparência da equação Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação.

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Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação?

Primeiro passo Considere a fórmula
ids=12k'n(WcL)(Vov)2
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
ids=120.2A/V²(10.15μm3.25μm)(0.123V)2
Próxima Etapa Converter unidades
ids=120.2A/V²(1E-5m3.3E-6m)(0.123V)2
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
ids=120.2(1E-53.3E-6)(0.123)2
Próxima Etapa Avalie
ids=0.00472490307692308A
Próxima Etapa Converter para unidade de saída
ids=4.72490307692308mA
Último passo Resposta de arredondamento
ids=4.7249mA

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação Fórmula Elementos

Variáveis
Corrente de drenagem de saturação
A corrente de drenagem de saturação é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.
Símbolo: ids
Medição: Corrente elétricaUnidade: mA
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Parâmetro de Transcondutância do Processo
O parâmetro de transcondutância do processo é o produto da mobilidade dos elétrons no canal e da capacitância do óxido.
Símbolo: k'n
Medição: Parâmetro de TranscondutânciaUnidade: A/V²
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Largura do canal
Largura do Canal é a dimensão do canal do MOSFET.
Símbolo: Wc
Medição: ComprimentoUnidade: μm
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Comprimento do canal
O comprimento do canal, L, que é a distância entre as duas junções -p.
Símbolo: L
Medição: ComprimentoUnidade: μm
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Tensão Efetiva
Tensão efetiva ou tensão de overdrive é denominada excesso de tensão através do óxido sobre tensão térmica.
Símbolo: Vov
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.

Outras fórmulas na categoria Características do amplificador transistorizado

​Ir Tensão de dreno instantânea total
Vd=Vfc-Rdid
​Ir Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido
io=(μeCox(WcL)(Vox-Vt))Vds
​Ir Tensão de entrada no transistor
Vfc=Rdid-Vd
​Ir Corrente de teste do amplificador transistorizado
ix=VxRin

Como avaliar Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação?

O avaliador Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação usa Saturation Drain Current = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2 para avaliar Corrente de drenagem de saturação, A corrente que entra no terminal de drenagem do MOSFET na saturação é a corrente de drenagem abaixo da tensão de limiar é definida como a corrente de sublimiar e varia exponencialmente com Vgs. O recíproco da inclinação do log (Ids) vs. Corrente de drenagem de saturação é denotado pelo símbolo ids.

Como avaliar Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação, insira Parâmetro de Transcondutância do Processo (k'n), Largura do canal (Wc), Comprimento do canal (L) & Tensão Efetiva (Vov) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

Qual é a fórmula para encontrar Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação?
A fórmula de Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação é expressa como Saturation Drain Current = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2. Aqui está um exemplo: 4724.903 = 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2.
Como calcular Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação?
Com Parâmetro de Transcondutância do Processo (k'n), Largura do canal (Wc), Comprimento do canal (L) & Tensão Efetiva (Vov) podemos encontrar Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação usando a fórmula - Saturation Drain Current = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2.
O Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação pode ser negativo?
Não, o Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação?
Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação geralmente é medido usando Miliamperes[mA] para Corrente elétrica. Ampere[mA], Microampère[mA], Centiampere[mA] são as poucas outras unidades nas quais Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação pode ser medido.
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