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Fórmula Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

IrCorrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS Fórmula

IrCorrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Fórmula

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A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET). Verifique FAQs

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

I_d - Drenar corrente em NMOS?k'_n - Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS?W_c - Largura do Canal?L - Comprimento do Canal?V_gs - Tensão da fonte do portão?V_T - Tensão de limiar?V_ds - Tensão da Fonte de Dreno?

Exemplo de Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta com valores.

Esta é a aparência da equação Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta com unidades.

Esta é a aparência da equação Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta.

239.693 = 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {8.43}^{2})

239.693mA = 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {8.43V}^{2})

239.693 = 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {8.43}^{2})

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta?

Primeiro passo Considere a fórmula

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I d = 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {8.43V}^{2})

Próxima Etapa Converter unidades

∴

I d = 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {8.43V}^{2})

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I d = 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {8.43}^{2})

Próxima Etapa Avalie

∴

I d = 0.239693A

Último passo Converter para unidade de saída

∴

I d = 239.693mA

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta Fórmula Elementos

Variáveis

Drenar corrente em NMOS

Símbolo: I_d

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Drenar corrente em NMOS

Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS

O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.

Símbolo: k'_n

Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS

Largura do Canal

A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Largura do Canal

Comprimento do Canal

O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Comprimento do Canal

Tensão da fonte do portão

A tensão da fonte de porta é a tensão que cai no terminal de porta-fonte do transistor.

Símbolo: V_gs

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão da fonte do portão

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Tensão da Fonte de Dreno

Drain Source Voltage é um termo elétrico usado em eletrônica e especificamente em transistores de efeito de campo. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais Drain e Source do FET.

Símbolo: V_ds

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão da Fonte de Dreno

Outras fórmulas para encontrar Drenar corrente em NMOS

Ir Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Ir Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

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v d = μ n \cdot E L

Ir NMOS como resistência linear

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

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Como avaliar Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta?

O avaliador Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta usa Drain Current in NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*Tensão da Fonte de Dreno^2) para avaliar Drenar corrente em NMOS, O terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS, dada a tensão da fonte de porta, é a corrente de drenagem abaixo da tensão limite, definida como a corrente sublimite e varia exponencialmente com Vgs. O recíproco da inclinação do log(Ids) vs. Drenar corrente em NMOS é denotado pelo símbolo I_d.

Como avaliar Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta, insira Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS (k'_n), Largura do Canal (W_c), Comprimento do Canal (L), Tensão da fonte do portão (V_gs), Tensão de limiar (V_T) & Tensão da Fonte de Dreno (V_ds) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

Qual é a fórmula para encontrar Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta?

A fórmula de Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta é expressa como Drain Current in NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*Tensão da Fonte de Dreno^2). Aqui está um exemplo: 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*8.43^2).

Como calcular Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta?

Com Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS (k'_n), Largura do Canal (W_c), Comprimento do Canal (L), Tensão da fonte do portão (V_gs), Tensão de limiar (V_T) & Tensão da Fonte de Dreno (V_ds) podemos encontrar Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta usando a fórmula - Drain Current in NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*Tensão da Fonte de Dreno^2).

Quais são as outras maneiras de calcular Drenar corrente em NMOS?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Drenar corrente em NMOS-

Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Drain Source Voltage)^2

O Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta pode ser negativo?

Não, o Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta?

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta geralmente é medido usando Miliamperes[mA] para Corrente elétrica. Ampere[mA], Microampère[mA], Centiampere[mA] são as poucas outras unidades nas quais Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta pode ser medido.

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Fórmula Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

​IrCorrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS Fórmula

​IrCorrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Fórmula

Exemplo de Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta Solução

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta Fórmula Elementos

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Como avaliar Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta?

FAQs sobre Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

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IrCorrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS Fórmula

IrCorrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Fórmula