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Fórmula Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET

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A corrente de entrada pode se referir à corrente elétrica que flui para um dispositivo ou circuito elétrico. Esta corrente pode ser AC ou DC dependendo do dispositivo e da fonte de alimentação. Verifique FAQs

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

I_in - Corrente de entrada?V_gs - Tensão Gate-Fonte?ω - Frequência angular?C_sg - Capacitância da porta de origem?C_gd - Capacitância Gate-Dreno?

Exemplo de Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET com valores.

Esta é a aparência da equação Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET com unidades.

Esta é a aparência da equação Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET.

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

2.0011mA = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET?

Primeiro passo Considere a fórmula

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

Próxima Etapa Converter unidades

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.2E-6F + 7E-6F))

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I in = 4 \cdot (33 \cdot (8.2E-6 + 7E-6))

Próxima Etapa Avalie

∴

I in = 0.00200112A

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

I in = 2.00112mA

Último passo Resposta de arredondamento

∴

I in = 2.0011mA

Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET Fórmula Elementos

Variáveis

Corrente de entrada

A corrente de entrada pode se referir à corrente elétrica que flui para um dispositivo ou circuito elétrico. Esta corrente pode ser AC ou DC dependendo do dispositivo e da fonte de alimentação.

Símbolo: I_in

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Corrente de entrada

Tensão Gate-Fonte

A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.

Símbolo: V_gs

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão Gate-Fonte

Frequência angular

A frequência angular da onda refere-se ao deslocamento angular por unidade de tempo. É uma medida escalar da taxa de rotação.

Símbolo: ω

Medição: Frequência angularUnidade: rad/s

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Frequência angular

Capacitância da porta de origem

A capacitância da porta da fonte é uma medida da capacitância entre os eletrodos da fonte e da porta em um transistor de efeito de campo (FET).

Símbolo: C_sg

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância da porta de origem

Capacitância Gate-Dreno

A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).

Símbolo: C_gd

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância Gate-Dreno

Outras fórmulas na categoria Tensão

Ir Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

Ir Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

Ir Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

Ir Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Ver mais

Como avaliar Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET?

O avaliador Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET usa Input Current = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno)) para avaliar Corrente de entrada, O parâmetro de dispositivo de tensão positiva fornecido no MOSFET aumenta com a dopagem, enquanto o limiar das estruturas pMOS diminui com a dopagem da mesma maneira. Uma variação da tensão de banda plana devido à carga de óxido fará com que ambas as curvas se movam para baixo se a carga for positiva e para cima se a carga for negativa. Corrente de entrada é denotado pelo símbolo I_in.

Como avaliar Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET, insira Tensão Gate-Fonte (V_gs), Frequência angular (ω), Capacitância da porta de origem (C_sg) & Capacitância Gate-Dreno (C_gd) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET

Qual é a fórmula para encontrar Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET?

A fórmula de Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET é expressa como Input Current = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno)). Aqui está um exemplo: 2001.12 = 4*(33*(8.16E-06+7E-06)).

Como calcular Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET?

Com Tensão Gate-Fonte (V_gs), Frequência angular (ω), Capacitância da porta de origem (C_sg) & Capacitância Gate-Dreno (C_gd) podemos encontrar Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET usando a fórmula - Input Current = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno)).

O Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET pode ser negativo?

Sim, o Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET, medido em Corrente elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET?

Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET geralmente é medido usando Miliamperes[mA] para Corrente elétrica. Ampere[mA], Microampère[mA], Centiampere[mA] são as poucas outras unidades nas quais Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET pode ser medido.

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Fórmula Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET

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