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Fórmula Tensão Overdrive do PMOS

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A tensão efetiva é a tensão CC equivalente que produziria a mesma quantidade de dissipação de energia em uma carga resistiva que a tensão CA sendo medida. Verifique FAQs

V ov = V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)

V_ov - Tensão efetiva?V_GS - Tensão entre Gate e Source?V_T - Tensão de limiar?

Exemplo de Tensão Overdrive do PMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Tensão Overdrive do PMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Tensão Overdrive do PMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Tensão Overdrive do PMOS.

2.16 = 2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)

2.16V = 2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)

2.16 = 2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Tensão Overdrive do PMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Tensão Overdrive do PMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

V ov = V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

V ov = 2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

V ov = 2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)

Último passo Avalie

∴

V ov = 2.16V

Tensão Overdrive do PMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Tensão efetiva

A tensão efetiva é a tensão CC equivalente que produziria a mesma quantidade de dissipação de energia em uma carga resistiva que a tensão CA sendo medida.

Símbolo: V_ov

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão efetiva

Tensão entre Gate e Source

A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.

Símbolo: V_GS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão entre Gate e Source

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

modulus

O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número.

Sintaxe: modulus

Outras fórmulas na categoria Aprimoramento do Canal P

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Ir Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Ver mais

Como avaliar Tensão Overdrive do PMOS?

O avaliador Tensão Overdrive do PMOS usa Effective Voltage = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar) para avaliar Tensão efetiva, A tensão de overdrive da fórmula PMOS é definida como a tensão entre a porta do transistor e a fonte (V. Tensão efetiva é denotado pelo símbolo V_ov.

Como avaliar Tensão Overdrive do PMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Tensão Overdrive do PMOS, insira Tensão entre Gate e Source (V_GS) & Tensão de limiar (V_T) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Tensão Overdrive do PMOS

Qual é a fórmula para encontrar Tensão Overdrive do PMOS?

A fórmula de Tensão Overdrive do PMOS é expressa como Effective Voltage = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar). Aqui está um exemplo: 2.16 = 2.86-modulus(0.7).

Como calcular Tensão Overdrive do PMOS?

Com Tensão entre Gate e Source (V_GS) & Tensão de limiar (V_T) podemos encontrar Tensão Overdrive do PMOS usando a fórmula - Effective Voltage = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar). Esta fórmula também usa funções "Função Módulo".

O Tensão Overdrive do PMOS pode ser negativo?

Sim, o Tensão Overdrive do PMOS, medido em Potencial elétrico pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Tensão Overdrive do PMOS?

Tensão Overdrive do PMOS geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Tensão Overdrive do PMOS pode ser medido.

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