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Fórmula Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI

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A tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional à tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET. Verifique FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Tensão Limite Adicional de Canal Estreito?k - Parâmetro Empírico?x_dm - Depleção em massa de extensão vertical no substrato?W_c - Largura de banda?C_oxide - Capacitância de Óxido por Unidade de Área?N_A - Concentração do aceitante?Φ_s - Potencial de Superfície?[Charge-e] - Carga do elétron?[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?

Exemplo de Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI com valores.

Esta é a aparência da equação Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI com unidades.

Esta é a aparência da equação Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI?

Primeiro passo Considere a fórmula

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Próxima Etapa Converter unidades

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Próxima Etapa Avalie

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Último passo Resposta de arredondamento

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito

A tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional à tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET.

Símbolo: ΔV_T0(nc)

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão Limite Adicional de Canal Estreito

Parâmetro Empírico

Parâmetro Empírico é uma constante ou valor usado em um modelo, equação ou teoria que é derivado de experimento e observação, em vez de ser deduzido teoricamente.

Símbolo: k

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Parâmetro Empírico

Depleção em massa de extensão vertical no substrato

O esgotamento em massa de extensão vertical no substrato refere-se à profundidade da região de esgotamento no substrato (volume) do MOSFET.

Símbolo: x_dm

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Depleção em massa de extensão vertical no substrato

Largura de banda

A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Largura de banda

Capacitância de Óxido por Unidade de Área

A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.

Símbolo: C_oxide

Medição: Capacitância de óxido por unidade de áreaUnidade: μF/cm²

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido por Unidade de Área

Concentração do aceitante

Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.

Símbolo: N_A

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração do aceitante

Potencial de Superfície

O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.

Símbolo: Φ_s

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de Superfície

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

Permissividade do vácuo

A permissividade do vácuo é uma constante física fundamental que descreve a capacidade do vácuo de permitir a transmissão de linhas de campo elétrico.

Símbolo: [Permitivity-vacuum]

Valor: 8.85E-12 F/m

Permissividade do silício

A permissividade do silício mede sua capacidade de armazenar energia elétrica em um campo elétrico, vital na tecnologia de semicondutores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

abs

O valor absoluto de um número é sua distância de zero na reta numérica. É sempre um valor positivo, pois representa a magnitude de um número sem considerar sua direção.

Sintaxe: abs(Number)

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Ir Coeficiente de Efeito Corporal

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Ir Carga do canal

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

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Como avaliar Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI?

O avaliador Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI usa Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Parâmetro Empírico*Depleção em massa de extensão vertical no substrato)/(Largura de banda*Capacitância de Óxido por Unidade de Área))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentração do aceitante*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potencial de Superfície))) para avaliar Tensão Limite Adicional de Canal Estreito, A fórmula VLSI de tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional para a tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET. Tensão Limite Adicional de Canal Estreito é denotado pelo símbolo ΔV_T0(nc).

Como avaliar Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI, insira Parâmetro Empírico (k), Depleção em massa de extensão vertical no substrato (x_dm), Largura de banda (W_c), Capacitância de Óxido por Unidade de Área (C_oxide), Concentração do aceitante (N_A) & Potencial de Superfície (Φ_s) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI

Qual é a fórmula para encontrar Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI?

A fórmula de Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI é expressa como Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Parâmetro Empírico*Depleção em massa de extensão vertical no substrato)/(Largura de banda*Capacitância de Óxido por Unidade de Área))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentração do aceitante*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potencial de Superfície))). Aqui está um exemplo: 2.382463 = ((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(sqrt(2*[Charge-e]*1E+22*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*6.86))).

Como calcular Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI?

Com Parâmetro Empírico (k), Depleção em massa de extensão vertical no substrato (x_dm), Largura de banda (W_c), Capacitância de Óxido por Unidade de Área (C_oxide), Concentração do aceitante (N_A) & Potencial de Superfície (Φ_s) podemos encontrar Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI usando a fórmula - Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Parâmetro Empírico*Depleção em massa de extensão vertical no substrato)/(Largura de banda*Capacitância de Óxido por Unidade de Área))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentração do aceitante*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potencial de Superfície))). Esta fórmula também usa funções Carga do elétron, Permissividade do vácuo, Permissividade do silício constante(s) e , Raiz quadrada (sqrt), Absoluto (abs).

O Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI pode ser negativo?

Não, o Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI, medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI?

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI pode ser medido.

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Fórmula Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI

Exemplo de Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Solução

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Fórmula Elementos

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