FormulaDen.com

Física Química Matemática Engenheiro químico Civil Elétrico Eletrônicos Eletrônica e Instrumentação Ciência de materiais Mecânico Engenharia de Produção Financeiro Saúde

Fórmula Tensão integrada de junção VLSI

Fx cópia de

LaTeX cópia de

A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada. Verifique FAQs

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{T}{[Charge-e]}) \cdot \ln (N A \cdot \frac{N D}{{(N i)}^{2}})

Ø₀ - Tensão interna de junção?T - Temperatura?N_A - Concentração do aceitante?N_D - Concentração de doadores?N_i - Concentração Intrínseca?[BoltZ] - Constante de Boltzmann?[Charge-e] - Carga do elétron?

Exemplo de Tensão integrada de junção VLSI

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Tensão integrada de junção VLSI com valores.

Esta é a aparência da equação Tensão integrada de junção VLSI com unidades.

Esta é a aparência da equação Tensão integrada de junção VLSI.

0.7546 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+16 \cdot \frac{1E+17}{{(1.5E+10)}^{2}})

0.7546V = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

0.7546 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+16 \cdot \frac{1E+17}{{(1.5E+10)}^{2}})

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

Calcular

Recalcular

Solução

cópia de

Reiniciar

Você está aqui -

Lar » Category

Engenharia » Category

Eletrônicos » Category

Fabricação VLSI » fx Tensão integrada de junção VLSI

Tensão integrada de junção VLSI Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Tensão integrada de junção VLSI?

Primeiro passo Considere a fórmula

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{T}{[Charge-e]}) \cdot \ln (N A \cdot \frac{N D}{{(N i)}^{2}})

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{300K}{[Charge-e]}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

Ø 0 = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

Próxima Etapa Converter unidades

∴

Ø 0 = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+221/m³ \cdot \frac{1E+231/m³}{{(1.5E+161/m³)}^{2}})

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

Ø 0 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+22 \cdot \frac{1E+23}{{(1.5E+16)}^{2}})

Próxima Etapa Avalie

∴

Ø 0 = 0.75463200359389V

Último passo Resposta de arredondamento

∴

Ø 0 = 0.7546V

Tensão integrada de junção VLSI Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Tensão interna de junção

A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada.

Símbolo: Ø₀

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão interna de junção

Temperatura

A temperatura reflete o quão quente ou frio é um objeto ou ambiente.

Símbolo: T

Medição: TemperaturaUnidade: K

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Temperatura

Concentração do aceitante

Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.

Símbolo: N_A

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração do aceitante

Concentração de doadores

A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.

Símbolo: N_D

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração de doadores

Concentração Intrínseca

Concentração Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga (elétrons e lacunas) em um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.

Símbolo: N_i

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração Intrínseca

Constante de Boltzmann

A constante de Boltzmann relaciona a energia cinética média das partículas em um gás com a temperatura do gás e é uma constante fundamental na mecânica estatística e na termodinâmica.

Símbolo: [BoltZ]

Valor: 1.38064852E-23 J/K

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural.

Sintaxe: ln(Number)

Outras fórmulas na categoria Otimização de materiais VLSI

Ir Coeficiente de Efeito Corporal

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Ir Carga do canal

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Ir Tensão Crítica

V x = E x \cdot E ch

Ir Coeficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Ver mais

Como avaliar Tensão integrada de junção VLSI?

O avaliador Tensão integrada de junção VLSI usa Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2) para avaliar Tensão interna de junção, A fórmula VLSI de tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada. Tensão interna de junção é denotado pelo símbolo Ø₀.

Como avaliar Tensão integrada de junção VLSI usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Tensão integrada de junção VLSI, insira Temperatura (T), Concentração do aceitante (N_A), Concentração de doadores (N_D) & Concentração Intrínseca (N_i) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Tensão integrada de junção VLSI

Qual é a fórmula para encontrar Tensão integrada de junção VLSI?

A fórmula de Tensão integrada de junção VLSI é expressa como Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2). Aqui está um exemplo: 0.754632 = ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2).

Como calcular Tensão integrada de junção VLSI?

Com Temperatura (T), Concentração do aceitante (N_A), Concentração de doadores (N_D) & Concentração Intrínseca (N_i) podemos encontrar Tensão integrada de junção VLSI usando a fórmula - Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2). Esta fórmula também usa funções Constante de Boltzmann, Carga do elétron constante(s) e Logaritmo Natural (ln).

O Tensão integrada de junção VLSI pode ser negativo?

Não, o Tensão integrada de junção VLSI, medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Tensão integrada de junção VLSI?

Tensão integrada de junção VLSI geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Tensão integrada de junção VLSI pode ser medido.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valor
: Unidade

Fórmula Tensão integrada de junção VLSI

Exemplo de Tensão integrada de junção VLSI

Tensão integrada de junção VLSI Solução

Tensão integrada de junção VLSI Fórmula Elementos

Outras fórmulas na categoria Otimização de materiais VLSI

Como avaliar Tensão integrada de junção VLSI?

FAQs sobre Tensão integrada de junção VLSI

Variable Name