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Fórmula Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET

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Tensão efetiva ou tensão de overdrive é denominada excesso de tensão através do óxido sobre tensão térmica. Verifique FAQs

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{i ds}{k' n \cdot (\frac{W c}{L})}}

V_ov - Tensão Efetiva?i_ds - Corrente de drenagem de saturação?k'_n - Parâmetro de Transcondutância do Processo?W_c - Largura do canal?L - Comprimento do canal?

Exemplo de Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET com valores.

Esta é a aparência da equação Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET com unidades.

Esta é a aparência da equação Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET.

0.1229 = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721}{0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25})}}

0.1229V = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721mA}{0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm})}}

0.1229 = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721}{0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25})}}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET?

Primeiro passo Considere a fórmula

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{i ds}{k' n \cdot (\frac{W c}{L})}}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721mA}{0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm})}}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{0.0047A}{0.2A/V² \cdot (\frac{1E-5m}{3.3E-6m})}}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{0.0047}{0.2 \cdot (\frac{1E-5}{3.3E-6})}}

Próxima Etapa Avalie

∴

V ov = 0.122949186508306V

Último passo Resposta de arredondamento

∴

V ov = 0.1229V

Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Tensão Efetiva

Tensão efetiva ou tensão de overdrive é denominada excesso de tensão através do óxido sobre tensão térmica.

Símbolo: V_ov

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão Efetiva

Corrente de drenagem de saturação

A corrente de drenagem de saturação é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.

Símbolo: i_ds

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Corrente de drenagem de saturação

Parâmetro de Transcondutância do Processo

O parâmetro de transcondutância do processo é o produto da mobilidade dos elétrons no canal e da capacitância do óxido.

Símbolo: k'_n

Medição: Parâmetro de TranscondutânciaUnidade: A/V²

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo

Largura do canal

Largura do Canal é a dimensão do canal do MOSFET.

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Largura do canal

Comprimento do canal

O comprimento do canal, L, que é a distância entre as duas junções -p.

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Comprimento do canal

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

Outras fórmulas na categoria Características do amplificador transistorizado

Ir Tensão de dreno instantânea total

V d = V fc - R d \cdot i d

Ir Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

Ir Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

Ir Tensão de entrada no transistor

V fc = R d \cdot i d - V d

Ver mais

Como avaliar Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET?

O avaliador Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET usa Effective Voltage = sqrt(2*Corrente de drenagem de saturação/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal))) para avaliar Tensão Efetiva, Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET é a tensão aplicada em um dispositivo ou sistema, levando em consideração quaisquer quedas de tensão ao longo do caminho do circuito. Tensão Efetiva é denotado pelo símbolo V_ov.

Como avaliar Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET, insira Corrente de drenagem de saturação (i_ds), Parâmetro de Transcondutância do Processo (k'_n), Largura do canal (W_c) & Comprimento do canal (L) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET

Qual é a fórmula para encontrar Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET?

A fórmula de Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET é expressa como Effective Voltage = sqrt(2*Corrente de drenagem de saturação/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal))). Aqui está um exemplo: 0.122949 = sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06))).

Como calcular Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET?

Com Corrente de drenagem de saturação (i_ds), Parâmetro de Transcondutância do Processo (k'_n), Largura do canal (W_c) & Comprimento do canal (L) podemos encontrar Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET usando a fórmula - Effective Voltage = sqrt(2*Corrente de drenagem de saturação/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal))). Esta fórmula também usa funções Raiz quadrada (sqrt).

O Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET pode ser negativo?

Não, o Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET, medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET?

Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET pode ser medido.

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