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Fórmula Tensão de saturação do MOSFET

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A tensão de saturação do dreno e da fonte é a tensão na qual o FET não pode mais operar como um amplificador e sua tensão de saída se fixa em um valor máximo. Verifique FAQs

V ds(s) = V gs - V th

V_ds(s) - Tensão de saturação de dreno e fonte?V_gs - Tensão Gate-Fonte?V_th - Tensão de limiar?

Exemplo de Tensão de saturação do MOSFET

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Tensão de saturação do MOSFET com valores.

Esta é a aparência da equação Tensão de saturação do MOSFET com unidades.

Esta é a aparência da equação Tensão de saturação do MOSFET.

1.7 = 4 - 2.3

1.7V = 4V - 2.3V

1.7 = 4 - 2.3

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Tensão de saturação do MOSFET Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Tensão de saturação do MOSFET?

Primeiro passo Considere a fórmula

V ds(s) = V gs - V th

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

V ds(s) = 4V - 2.3V

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

V ds(s) = 4 - 2.3

Último passo Avalie

∴

V ds(s) = 1.7V

Tensão de saturação do MOSFET Fórmula Elementos

Variáveis

Tensão de saturação de dreno e fonte

A tensão de saturação do dreno e da fonte é a tensão na qual o FET não pode mais operar como um amplificador e sua tensão de saída se fixa em um valor máximo.

Símbolo: V_ds(s)

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de saturação de dreno e fonte

Tensão Gate-Fonte

A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.

Símbolo: V_gs

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão Gate-Fonte

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_th

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Outras fórmulas na categoria Tensão

Ir Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

Ir Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

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Como avaliar Tensão de saturação do MOSFET?

O avaliador Tensão de saturação do MOSFET usa Drain and Source Saturation Voltage = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar para avaliar Tensão de saturação de dreno e fonte, A tensão de saturação do MOSFET é igual à tensão efetiva ou tensão de overdrive do MOSFET. Também é igual à diferença de voltagem entre o óxido e a voltagem limite. Tensão de saturação de dreno e fonte é denotado pelo símbolo V_ds(s).

Como avaliar Tensão de saturação do MOSFET usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Tensão de saturação do MOSFET, insira Tensão Gate-Fonte (V_gs) & Tensão de limiar (V_th) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Tensão de saturação do MOSFET

Qual é a fórmula para encontrar Tensão de saturação do MOSFET?

A fórmula de Tensão de saturação do MOSFET é expressa como Drain and Source Saturation Voltage = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar. Aqui está um exemplo: 1.7 = 4-2.3.

Como calcular Tensão de saturação do MOSFET?

Com Tensão Gate-Fonte (V_gs) & Tensão de limiar (V_th) podemos encontrar Tensão de saturação do MOSFET usando a fórmula - Drain and Source Saturation Voltage = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar.

O Tensão de saturação do MOSFET pode ser negativo?

Não, o Tensão de saturação do MOSFET, medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Tensão de saturação do MOSFET?

Tensão de saturação do MOSFET geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Tensão de saturação do MOSFET pode ser medido.

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Fórmula Tensão de saturação do MOSFET

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