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Fórmula Tensão de saturação do IGBT

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A tensão de saturação do coletor para o emissor (IGBT) de um transistor bipolar de porta isolada é a queda de tensão no IGBT quando ele está ligado e conduzindo corrente. Verifique FAQs

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

V_{c-e(sat)(igbt)} - Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT)?V_{B-E(pnp)(igbt)} - Tensão base do emissor PNP IGBT?I_d(igbt) - Corrente de drenagem (IGBT)?R_s(igbt) - Resistência à condutividade IGBT?R_ch(igbt) - Resistência do Canal N (IGBT)?

Exemplo de Tensão de saturação do IGBT

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Tensão de saturação do IGBT com valores.

Esta é a aparência da equação Tensão de saturação do IGBT com unidades.

Esta é a aparência da equação Tensão de saturação do IGBT.

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

1222.25V = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Tensão de saturação do IGBT Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Tensão de saturação do IGBT?

Primeiro passo Considere a fórmula

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

Próxima Etapa Converter unidades

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 0.105A \cdot (1030Ω + 10590Ω)

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15 + 0.105 \cdot (1030 + 10590)

Último passo Avalie

∴

V c-e(sat)(igbt) = 1222.25V

Tensão de saturação do IGBT Fórmula Elementos

Variáveis

Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT)

A tensão de saturação do coletor para o emissor (IGBT) de um transistor bipolar de porta isolada é a queda de tensão no IGBT quando ele está ligado e conduzindo corrente.

Símbolo: V_{c-e(sat)(igbt)}

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT)

Tensão base do emissor PNP IGBT

Tensão base do emissor PNP IGBT. Um IGBT é um dispositivo híbrido que combina as vantagens de um MOSFET e de um BJT.

Símbolo: V_{B-E(pnp)(igbt)}

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão base do emissor PNP IGBT

Corrente de drenagem (IGBT)

Corrente de drenagem (IGBT) é a corrente que flui através da junção de drenagem do MOSFET e IGBT.

Símbolo: I_d(igbt)

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Corrente de drenagem (IGBT)

Resistência à condutividade IGBT

Resistência de condutividade IGBT é a resistência quando um IGBT está ligado e conduzindo corrente.

Símbolo: R_s(igbt)

Medição: Resistência ElétricaUnidade: kΩ

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Resistência à condutividade IGBT

Resistência do Canal N (IGBT)

A resistência do canal N (IGBT) é a resistência do material semicondutor no dispositivo quando o IGBT está ligado.

Símbolo: R_ch(igbt)

Medição: Resistência ElétricaUnidade: kΩ

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Resistência do Canal N (IGBT)

Outras fórmulas na categoria IGBT

Ir Queda de tensão no IGBT no estado ON

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

Ir Tempo de desligamento do IGBT

T off(igbt) = T dl(igbt) + t f1(igbt) + t f2(igbt)

Ir Corrente do Emissor do IGBT

I e(igbt) = I h(igbt) + i e(igbt)

Ir Capacitância de entrada do IGBT

C in(igbt) = C (g-e)(igbt) + C (g-c)(igbt)

Ver mais

Como avaliar Tensão de saturação do IGBT?

O avaliador Tensão de saturação do IGBT usa Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Tensão base do emissor PNP IGBT+Corrente de drenagem (IGBT)*(Resistência à condutividade IGBT+Resistência do Canal N (IGBT)) para avaliar Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT), A tensão de saturação do IGBT é a queda de tensão no dispositivo quando ele está no estado "ligado" ou condutor. Essa queda de tensão ocorre devido às características inerentes do IGBT e é normalmente menor que a queda de tensão em um transistor de junção bipolar padrão (BJT). A tensão de saturação de um IGBT é influenciada por vários fatores, incluindo a corrente nominal do IGBT, a temperatura e o modelo ou fabricante específico. Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) é denotado pelo símbolo V_{c-e(sat)(igbt)}.

Como avaliar Tensão de saturação do IGBT usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Tensão de saturação do IGBT, insira Tensão base do emissor PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Corrente de drenagem (IGBT) (I_d(igbt)), Resistência à condutividade IGBT (R_s(igbt)) & Resistência do Canal N (IGBT) (R_ch(igbt)) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Tensão de saturação do IGBT

Qual é a fórmula para encontrar Tensão de saturação do IGBT?

A fórmula de Tensão de saturação do IGBT é expressa como Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Tensão base do emissor PNP IGBT+Corrente de drenagem (IGBT)*(Resistência à condutividade IGBT+Resistência do Canal N (IGBT)). Aqui está um exemplo: 1.1E+6 = 2.15+105*(1.03+10590).

Como calcular Tensão de saturação do IGBT?

Com Tensão base do emissor PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Corrente de drenagem (IGBT) (I_d(igbt)), Resistência à condutividade IGBT (R_s(igbt)) & Resistência do Canal N (IGBT) (R_ch(igbt)) podemos encontrar Tensão de saturação do IGBT usando a fórmula - Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Tensão base do emissor PNP IGBT+Corrente de drenagem (IGBT)*(Resistência à condutividade IGBT+Resistência do Canal N (IGBT)).

O Tensão de saturação do IGBT pode ser negativo?

Não, o Tensão de saturação do IGBT, medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Tensão de saturação do IGBT?

Tensão de saturação do IGBT geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Tensão de saturação do IGBT pode ser medido.

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Fórmula Tensão de saturação do IGBT

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