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Fórmula Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada

IrTensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial Fórmula

IrTensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive Fórmula

Fx cópia de

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A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo. Verifique FAQs

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

V_gs - Tensão Gate-Fonte?I_in - Corrente de entrada?ω - Frequência angular?C_sg - Capacitância da porta de origem?C_gd - Capacitância Gate-Dreno?

Exemplo de Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada com valores.

Esta é a aparência da equação Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada com unidades.

Esta é a aparência da equação Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada.

3.9978 = \frac{2}{33 \cdot (8.16 + 7)}

3.9978V = \frac{2mA}{33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF)}

3.9978 = \frac{2}{33 \cdot (8.16 + 7)}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada?

Primeiro passo Considere a fórmula

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

V gs = \frac{2mA}{33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF)}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

V gs = \frac{0.002A}{33rad/s \cdot (8.2E-6F + 7E-6F)}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

V gs = \frac{0.002}{33 \cdot (8.2E-6 + 7E-6)}

Próxima Etapa Avalie

∴

V gs = 3.99776125369793V

Último passo Resposta de arredondamento

∴

V gs = 3.9978V

Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada Fórmula Elementos

Variáveis

Tensão Gate-Fonte

A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.

Símbolo: V_gs

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão Gate-Fonte

Corrente de entrada

A corrente de entrada pode se referir à corrente elétrica que flui para um dispositivo ou circuito elétrico. Esta corrente pode ser AC ou DC dependendo do dispositivo e da fonte de alimentação.

Símbolo: I_in

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Corrente de entrada

Frequência angular

A frequência angular da onda refere-se ao deslocamento angular por unidade de tempo. É uma medida escalar da taxa de rotação.

Símbolo: ω

Medição: Frequência angularUnidade: rad/s

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Frequência angular

Capacitância da porta de origem

A capacitância da porta da fonte é uma medida da capacitância entre os eletrodos da fonte e da porta em um transistor de efeito de campo (FET).

Símbolo: C_sg

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância da porta de origem

Capacitância Gate-Dreno

A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).

Símbolo: C_gd

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância Gate-Dreno

Outras fórmulas para encontrar Tensão Gate-Fonte

Ir Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

Ir Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

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Ir Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

Ir Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

Ir Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

Ir Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Ver mais

Como avaliar Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada?

O avaliador Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada usa Gate-Source Voltage = Corrente de entrada/(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno)) para avaliar Tensão Gate-Fonte, A tensão entre a porta e a fonte do MOSFET dada fórmula de corrente de entrada é definida como a tensão entre a porta e a fonte que é necessária para ligar o MOSFET. em outras palavras, se for pelo menos tão alto quanto a tensão limite, o MOSFET liga. Tensão Gate-Fonte é denotado pelo símbolo V_gs.

Como avaliar Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada, insira Corrente de entrada (I_in), Frequência angular (ω), Capacitância da porta de origem (C_sg) & Capacitância Gate-Dreno (C_gd) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada

Qual é a fórmula para encontrar Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada?

A fórmula de Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada é expressa como Gate-Source Voltage = Corrente de entrada/(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno)). Aqui está um exemplo: 3.997761 = 0.002/(33*(8.16E-06+7E-06)).

Como calcular Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada?

Com Corrente de entrada (I_in), Frequência angular (ω), Capacitância da porta de origem (C_sg) & Capacitância Gate-Dreno (C_gd) podemos encontrar Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada usando a fórmula - Gate-Source Voltage = Corrente de entrada/(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno)).

Quais são as outras maneiras de calcular Tensão Gate-Fonte?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Tensão Gate-Fonte-

Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+sqrt((2*DC Bias Current)/(Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio))
Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+1.4*Effective Voltage

O Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada pode ser negativo?

Não, o Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada, medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada?

Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada pode ser medido.

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Fórmula Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada

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​IrTensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive Fórmula

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