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Fórmula Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial

IrTensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive Fórmula

IrTensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada Fórmula

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A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo. Verifique FAQs

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

V_gs - Tensão Gate-Fonte?V_th - Tensão de limiar?I_b - Corrente de polarização DC?k'_n - Parâmetro de Transcondutância do Processo?WL - Proporção da tela?

Exemplo de Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial com valores.

Esta é a aparência da equação Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial com unidades.

Esta é a aparência da equação Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial.

5.3628 = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 985}{2.1 \cdot 0.1}}

5.3628V = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 985mA}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

5.3628 = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 985}{2.1 \cdot 0.1}}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial?

Primeiro passo Considere a fórmula

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

V gs = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 985mA}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

V gs = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 0.985A}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

V gs = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 0.985}{2.1 \cdot 0.1}}

Próxima Etapa Avalie

∴

V gs = 5.36283404397829V

Último passo Resposta de arredondamento

∴

V gs = 5.3628V

Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Tensão Gate-Fonte

A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.

Símbolo: V_gs

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão Gate-Fonte

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_th

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Corrente de polarização DC

A corrente de polarização CC é a corrente constante que flui através de um circuito ou dispositivo para estabelecer um determinado ponto de operação ou ponto de polarização.

Símbolo: I_b

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Corrente de polarização DC

Parâmetro de Transcondutância do Processo

O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.

Símbolo: k'_n

Medição: Parâmetro de TranscondutânciaUnidade: A/V²

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo

Proporção da tela

A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte

Símbolo: WL

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Proporção da tela

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

Outras fórmulas para encontrar Tensão Gate-Fonte

Ir Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

Ir Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

Outras fórmulas na categoria Tensão

Ir Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

Ir Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

Ir Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

Ir Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Ver mais

Como avaliar Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial?

O avaliador Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial usa Gate-Source Voltage = Tensão de limiar+sqrt((2*Corrente de polarização DC)/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela)) para avaliar Tensão Gate-Fonte, A tensão entre a porta e a fonte do MOSFET na operação com a fórmula de tensão de entrada diferencial é definida como a tensão que cai no terminal porta-fonte do transistor. Isso significa que, ao conectar seus terminais a um circuito, eles normalmente conduzem corrente do dreno para a fonte, sem qualquer tensão fornecida à base. Tensão Gate-Fonte é denotado pelo símbolo V_gs.

Como avaliar Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial, insira Tensão de limiar (V_th), Corrente de polarização DC (I_b), Parâmetro de Transcondutância do Processo (k'_n) & Proporção da tela (WL) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial

Qual é a fórmula para encontrar Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial?

A fórmula de Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial é expressa como Gate-Source Voltage = Tensão de limiar+sqrt((2*Corrente de polarização DC)/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela)). Aqui está um exemplo: 5.362834 = 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1)).

Como calcular Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial?

Com Tensão de limiar (V_th), Corrente de polarização DC (I_b), Parâmetro de Transcondutância do Processo (k'_n) & Proporção da tela (WL) podemos encontrar Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial usando a fórmula - Gate-Source Voltage = Tensão de limiar+sqrt((2*Corrente de polarização DC)/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela)). Esta fórmula também usa funções Raiz quadrada (sqrt).

Quais são as outras maneiras de calcular Tensão Gate-Fonte?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Tensão Gate-Fonte-

Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+1.4*Effective Voltage
Gate-Source Voltage=Input Current/(Angular Frequency*(Source Gate Capacitance+Gate-Drain Capacitance))

O Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial pode ser negativo?

Não, o Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial, medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial?

Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial pode ser medido.

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Fórmula Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial

​IrTensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive Fórmula

​IrTensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada Fórmula

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FAQs sobre Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial

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IrTensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive Fórmula

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