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Fórmula Redução de tensão limite de canal curto VLSI

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A redução da tensão limite de canal curto é definida como uma redução na tensão limite do MOSFET devido ao efeito de canal curto. Verifique FAQs

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |} \cdot x j}{C oxide \cdot 2 \cdot L} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dS}{x j}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dD}{x j}} - 1))

ΔV_T0 - Redução de tensão limite de canal curto?N_A - Concentração do aceitante?Φ_s - Potencial de Superfície?x_j - Profundidade da Junção?C_oxide - Capacitância de Óxido por Unidade de Área?L - Comprimento do canal?x_dS - Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte?x_dD - Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno?[Charge-e] - Carga do elétron?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo?

Exemplo de Redução de tensão limite de canal curto VLSI

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Redução de tensão limite de canal curto VLSI com valores.

Esta é a aparência da equação Redução de tensão limite de canal curto VLSI com unidades.

Esta é a aparência da equação Redução de tensão limite de canal curto VLSI.

0.4672 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2}{0.0703 \cdot 2 \cdot 2.5} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314}{2}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534}{2}} - 1))

0.4672V = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

0.4672 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2}{0.0703 \cdot 2 \cdot 2.5} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314}{2}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534}{2}} - 1))

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Redução de tensão limite de canal curto VLSI Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Redução de tensão limite de canal curto VLSI?

Primeiro passo Considere a fórmula

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |} \cdot x j}{C oxide \cdot 2 \cdot L} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dS}{x j}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dD}{x j}} - 1))

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

Próxima Etapa Converter unidades

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+221/m³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2E-6m}{0.0007F/m² \cdot 2 \cdot 2.5E-6m} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 3.1E-7m}{2E-6m}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 5.3E-7m}{2E-6m}} - 1))

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+22 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2E-6}{0.0007 \cdot 2 \cdot 2.5E-6} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 3.1E-7}{2E-6}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 5.3E-7}{2E-6}} - 1))

Próxima Etapa Avalie

∴

ΔV T0 = 0.467200582407994V

Último passo Resposta de arredondamento

∴

ΔV T0 = 0.4672V

Redução de tensão limite de canal curto VLSI Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Redução de tensão limite de canal curto

A redução da tensão limite de canal curto é definida como uma redução na tensão limite do MOSFET devido ao efeito de canal curto.

Símbolo: ΔV_T0

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Redução de tensão limite de canal curto

Concentração do aceitante

Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.

Símbolo: N_A

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração do aceitante

Potencial de Superfície

O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.

Símbolo: Φ_s

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de Superfície

Profundidade da Junção

A profundidade da junção é definida como a distância da superfície de um material semicondutor até o ponto onde ocorre uma mudança significativa na concentração de átomos dopantes.

Símbolo: x_j

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Profundidade da Junção

Capacitância de Óxido por Unidade de Área

A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.

Símbolo: C_oxide

Medição: Capacitância de óxido por unidade de áreaUnidade: μF/cm²

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido por Unidade de Área

Comprimento do canal

Comprimento do canal refere-se ao comprimento físico do material semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Comprimento do canal

Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte

A profundidade de esgotamento da junção Pn com a fonte é definida como a região ao redor de uma junção pn onde os portadores de carga foram esgotados devido à formação de um campo elétrico.

Símbolo: x_dS

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte

Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno

A profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno é definida como a extensão da região de esgotamento no material semicondutor próximo ao terminal de dreno.

Símbolo: x_dD

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

Permissividade do silício

A permissividade do silício mede sua capacidade de armazenar energia elétrica em um campo elétrico, vital na tecnologia de semicondutores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

Permissividade do vácuo

A permissividade do vácuo é uma constante física fundamental que descreve a capacidade do vácuo de permitir a transmissão de linhas de campo elétrico.

Símbolo: [Permitivity-vacuum]

Valor: 8.85E-12 F/m

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

abs

O valor absoluto de um número é sua distância de zero na reta numérica. É sempre um valor positivo, pois representa a magnitude de um número sem considerar sua direção.

Sintaxe: abs(Number)

Outras fórmulas na categoria Otimização de materiais VLSI

Ir Coeficiente de Efeito Corporal

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Ir Carga do canal

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

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Como avaliar Redução de tensão limite de canal curto VLSI?

O avaliador Redução de tensão limite de canal curto VLSI usa Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))*Profundidade da Junção)/(Capacitância de Óxido por Unidade de Área*2*Comprimento do canal)*((sqrt(1+(2*Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte)/Profundidade da Junção)-1)+(sqrt(1+(2*Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno)/Profundidade da Junção)-1)) para avaliar Redução de tensão limite de canal curto, A fórmula VLSI de redução de tensão limite de canal curto é definida como uma redução na tensão limite do MOSFET devido ao efeito de canal curto. Redução de tensão limite de canal curto é denotado pelo símbolo ΔV_T0.

Como avaliar Redução de tensão limite de canal curto VLSI usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Redução de tensão limite de canal curto VLSI, insira Concentração do aceitante (N_A), Potencial de Superfície (Φ_s), Profundidade da Junção (x_j), Capacitância de Óxido por Unidade de Área (C_oxide), Comprimento do canal (L), Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte (x_dS) & Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno (x_dD) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Redução de tensão limite de canal curto VLSI

Qual é a fórmula para encontrar Redução de tensão limite de canal curto VLSI?

A fórmula de Redução de tensão limite de canal curto VLSI é expressa como Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))*Profundidade da Junção)/(Capacitância de Óxido por Unidade de Área*2*Comprimento do canal)*((sqrt(1+(2*Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte)/Profundidade da Junção)-1)+(sqrt(1+(2*Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno)/Profundidade da Junção)-1)). Aqui está um exemplo: 0.467201 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*1E+22*abs(2*6.86))*2E-06)/(0.000703*2*2.5E-06)*((sqrt(1+(2*3.14E-07)/2E-06)-1)+(sqrt(1+(2*5.34E-07)/2E-06)-1)).

Como calcular Redução de tensão limite de canal curto VLSI?

Com Concentração do aceitante (N_A), Potencial de Superfície (Φ_s), Profundidade da Junção (x_j), Capacitância de Óxido por Unidade de Área (C_oxide), Comprimento do canal (L), Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte (x_dS) & Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno (x_dD) podemos encontrar Redução de tensão limite de canal curto VLSI usando a fórmula - Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))*Profundidade da Junção)/(Capacitância de Óxido por Unidade de Área*2*Comprimento do canal)*((sqrt(1+(2*Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte)/Profundidade da Junção)-1)+(sqrt(1+(2*Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno)/Profundidade da Junção)-1)). Esta fórmula também usa funções Carga do elétron, Permissividade do silício, Permissividade do vácuo constante(s) e , Raiz quadrada (sqrt), Absoluto (abs).

O Redução de tensão limite de canal curto VLSI pode ser negativo?

Não, o Redução de tensão limite de canal curto VLSI, medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Redução de tensão limite de canal curto VLSI?

Redução de tensão limite de canal curto VLSI geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Redução de tensão limite de canal curto VLSI pode ser medido.

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Fórmula Redução de tensão limite de canal curto VLSI

Exemplo de Redução de tensão limite de canal curto VLSI

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