Fórmula Queda de tensão no IGBT no estado ON

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Estágio de queda de tensão ON (IGBT) é a diferença de tensão entre os terminais coletor e emissor quando o IGBT é ligado. É material semicondutor no dispositivo. Verifique FAQs
VON(igbt)=if(igbt)Rch(igbt)+if(igbt)Rd(igbt)+Vj1(igbt)
VON(igbt) - Queda de tensão no estágio (IGBT)?if(igbt) - Corrente direta (IGBT)?Rch(igbt) - Resistência do Canal N (IGBT)?Rd(igbt) - Resistência à Deriva (IGBT)?Vj1(igbt) - Junção Pn de Tensão 1 (IGBT)?

Exemplo de Queda de tensão no IGBT no estado ON

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Queda de tensão no IGBT no estado ON com valores.

Esta é a aparência da equação Queda de tensão no IGBT no estado ON com unidades.

Esta é a aparência da equação Queda de tensão no IGBT no estado ON.

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Queda de tensão no IGBT no estado ON Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Queda de tensão no IGBT no estado ON?

Primeiro passo Considere a fórmula
VON(igbt)=if(igbt)Rch(igbt)+if(igbt)Rd(igbt)+Vj1(igbt)
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
VON(igbt)=1.69mA10.59+1.69mA0.98+0.7V
Próxima Etapa Converter unidades
VON(igbt)=0.0017A10590Ω+0.0017A980Ω+0.7V
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
VON(igbt)=0.001710590+0.0017980+0.7
Último passo Avalie
VON(igbt)=20.2533V

Queda de tensão no IGBT no estado ON Fórmula Elementos

Variáveis
Queda de tensão no estágio (IGBT)
Estágio de queda de tensão ON (IGBT) é a diferença de tensão entre os terminais coletor e emissor quando o IGBT é ligado. É material semicondutor no dispositivo.
Símbolo: VON(igbt)
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Corrente direta (IGBT)
Corrente direta (IGBT) é a corrente máxima que pode fluir através do dispositivo quando ele está ligado.
Símbolo: if(igbt)
Medição: Corrente elétricaUnidade: mA
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Resistência do Canal N (IGBT)
A resistência do canal N (IGBT) é a resistência do material semicondutor no dispositivo quando o IGBT está ligado.
Símbolo: Rch(igbt)
Medição: Resistência ElétricaUnidade:
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Resistência à Deriva (IGBT)
A resistência à deriva (IGBT) é a região de deriva N do material semicondutor no dispositivo. A região de deriva N é um silício dopado espesso que separa o coletor da região de base P.
Símbolo: Rd(igbt)
Medição: Resistência ElétricaUnidade:
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Junção Pn de Tensão 1 (IGBT)
A tensão Pn Junção 1 (IGBT) é causada pela barreira de potencial que existe na junção. Esta barreira potencial é criada pela difusão de portadores de carga através da junção.
Símbolo: Vj1(igbt)
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.

Outras fórmulas na categoria IGBT

​Ir Tempo de desligamento do IGBT
Toff(igbt)=Tdl(igbt)+tf1(igbt)+tf2(igbt)
​Ir Corrente do Emissor do IGBT
Ie(igbt)=Ih(igbt)+ie(igbt)
​Ir Capacitância de entrada do IGBT
Cin(igbt)=C(g-e)(igbt)+C(g-c)(igbt)
​Ir Corrente Nominal Contínua do Coletor do IGBT
if(igbt)=-Vce(igbt)+(Vce(igbt))2+4Rce(igbt)(Tjmax(igbt)-Tc(igbt)Rth(jc)(igbt))2Rce(igbt)

Como avaliar Queda de tensão no IGBT no estado ON?

O avaliador Queda de tensão no IGBT no estado ON usa Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Corrente direta (IGBT)*Resistência do Canal N (IGBT)+Corrente direta (IGBT)*Resistência à Deriva (IGBT)+Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) para avaliar Queda de tensão no estágio (IGBT), A queda de tensão no IGBT no estado ON é causada pela resistência do material semicondutor no dispositivo, bem como pela resistência dos fios de ligação e outras conexões internas. A queda de tensão em um estado ligado do IGBT pode ser reduzida usando um dispositivo maior com uma resistência no estado ligado mais baixa. Outra forma de reduzir a queda de tensão é reduzir a corrente que flui através do dispositivo. Queda de tensão no estágio (IGBT) é denotado pelo símbolo VON(igbt).

Como avaliar Queda de tensão no IGBT no estado ON usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Queda de tensão no IGBT no estado ON, insira Corrente direta (IGBT) (if(igbt)), Resistência do Canal N (IGBT) (Rch(igbt)), Resistência à Deriva (IGBT) (Rd(igbt)) & Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) (Vj1(igbt)) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Queda de tensão no IGBT no estado ON

Qual é a fórmula para encontrar Queda de tensão no IGBT no estado ON?
A fórmula de Queda de tensão no IGBT no estado ON é expressa como Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Corrente direta (IGBT)*Resistência do Canal N (IGBT)+Corrente direta (IGBT)*Resistência à Deriva (IGBT)+Junção Pn de Tensão 1 (IGBT). Aqui está um exemplo: 18.59876 = 0.00169*10590+0.00169*0.98+0.7.
Como calcular Queda de tensão no IGBT no estado ON?
Com Corrente direta (IGBT) (if(igbt)), Resistência do Canal N (IGBT) (Rch(igbt)), Resistência à Deriva (IGBT) (Rd(igbt)) & Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) (Vj1(igbt)) podemos encontrar Queda de tensão no IGBT no estado ON usando a fórmula - Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Corrente direta (IGBT)*Resistência do Canal N (IGBT)+Corrente direta (IGBT)*Resistência à Deriva (IGBT)+Junção Pn de Tensão 1 (IGBT).
O Queda de tensão no IGBT no estado ON pode ser negativo?
Não, o Queda de tensão no IGBT no estado ON, medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Queda de tensão no IGBT no estado ON?
Queda de tensão no IGBT no estado ON geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Queda de tensão no IGBT no estado ON pode ser medido.
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