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Fórmula Puxe para baixo a corrente na região de saturação

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A corrente pull-down da região de saturação é a corrente através do resistor quando um resistor pull-down é usado com um MOSFET de canal N no modo de saturação. Verifique FAQs

I D(sat) = \sum (x, 0, n, (μ n \cdot \frac{C ox}{2}) \cdot (\frac{W}{L}) \cdot {(V GS - V T)}^{2})

I_D(sat) - Corrente de redução da região de saturação?n - Número de transistores de driver paralelo?μ_n - Mobilidade Eletrônica?C_ox - Capacitância de Óxido?W - Largura de banda?L - Comprimento do canal?V_GS - Tensão da Fonte da Porta?V_T - Tensão de limiar?

Exemplo de Puxe para baixo a corrente na região de saturação

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Puxe para baixo a corrente na região de saturação com valores.

Esta é a aparência da equação Puxe para baixo a corrente na região de saturação com unidades.

Esta é a aparência da equação Puxe para baixo a corrente na região de saturação.

101550.1189 = \sum (x, 0, 11, (9.92 \cdot \frac{3.9}{2}) \cdot (\frac{2.678}{3.45}) \cdot {(29.65 - 5.91)}^{2})

101550.1189A = \sum (x, 0, 11, (9.92m²/V*s \cdot \frac{3.9F}{2}) \cdot (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot {(29.65V - 5.91V)}^{2})

101550.1189 = \sum (x, 0, 11, (9.92 \cdot \frac{3.9}{2}) \cdot (\frac{2.678}{3.45}) \cdot {(29.65 - 5.91)}^{2})

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Puxe para baixo a corrente na região de saturação Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Puxe para baixo a corrente na região de saturação?

Primeiro passo Considere a fórmula

I D(sat) = \sum (x, 0, n, (μ n \cdot \frac{C ox}{2}) \cdot (\frac{W}{L}) \cdot {(V GS - V T)}^{2})

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I D(sat) = \sum (x, 0, 11, (9.92m²/V*s \cdot \frac{3.9F}{2}) \cdot (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot {(29.65V - 5.91V)}^{2})

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I D(sat) = \sum (x, 0, 11, (9.92 \cdot \frac{3.9}{2}) \cdot (\frac{2.678}{3.45}) \cdot {(29.65 - 5.91)}^{2})

Próxima Etapa Avalie

∴

I D(sat) = 101550.118939559A

Último passo Resposta de arredondamento

∴

I D(sat) = 101550.1189A

Puxe para baixo a corrente na região de saturação Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Corrente de redução da região de saturação

A corrente pull-down da região de saturação é a corrente através do resistor quando um resistor pull-down é usado com um MOSFET de canal N no modo de saturação.

Símbolo: I_D(sat)

Medição: Corrente elétricaUnidade: A

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Corrente de redução da região de saturação

Número de transistores de driver paralelo

Número de transistores de driver paralelo refere-se ao número de transistores de driver paralelo no circuito.

Símbolo: n

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Número de transistores de driver paralelo

Mobilidade Eletrônica

A mobilidade eletrônica no MOSFET descreve a facilidade com que os elétrons podem se mover através do canal, impactando diretamente o fluxo de corrente para uma determinada tensão.

Símbolo: μ_n

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Mobilidade Eletrônica

Capacitância de Óxido

Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: F

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido

Largura de banda

A largura do canal representa a largura do canal condutor dentro de um MOSFET, afetando diretamente a quantidade de corrente que ele pode suportar.

Símbolo: W

Medição: ComprimentoUnidade: m

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Largura de banda

Comprimento do canal

O comprimento do canal em um MOSFET é a distância entre as regiões de fonte e dreno, determinando a facilidade com que a corrente flui e impactando o desempenho do transistor.

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: m

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Comprimento do canal

Tensão da Fonte da Porta

A tensão da fonte da porta é a tensão aplicada entre os terminais da porta e da fonte de um MOSFET.

Símbolo: V_GS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão da Fonte da Porta

Tensão de limiar

Tensão limite é a tensão mínima porta-fonte necessária em um MOSFET para ligá-lo e permitir o fluxo de uma corrente significativa.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

sum

A notação de soma ou sigma (∑) é um método usado para escrever uma soma longa de forma concisa.

Sintaxe: sum(i, from, to, expr)

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Ir Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

C jsw = C j0sw \cdot x j

Ir Capacitância equivalente de junção de sinal grande

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Ver mais

Como avaliar Puxe para baixo a corrente na região de saturação?

O avaliador Puxe para baixo a corrente na região de saturação usa Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Número de transistores de driver paralelo,(Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido/2)*(Largura de banda/Comprimento do canal)*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão de limiar)^2) para avaliar Corrente de redução da região de saturação, A fórmula Corrente pull down na região de saturação é definida como a corrente através do resistor quando um resistor pull down é usado com um MOSFET de canal N no modo de saturação. Corrente de redução da região de saturação é denotado pelo símbolo I_D(sat).

Como avaliar Puxe para baixo a corrente na região de saturação usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Puxe para baixo a corrente na região de saturação, insira Número de transistores de driver paralelo (n), Mobilidade Eletrônica (μ_n), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura de banda (W), Comprimento do canal (L), Tensão da Fonte da Porta (V_GS) & Tensão de limiar (V_T) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Puxe para baixo a corrente na região de saturação

Qual é a fórmula para encontrar Puxe para baixo a corrente na região de saturação?

A fórmula de Puxe para baixo a corrente na região de saturação é expressa como Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Número de transistores de driver paralelo,(Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido/2)*(Largura de banda/Comprimento do canal)*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão de limiar)^2). Aqui está um exemplo: 101550.1 = sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2).

Como calcular Puxe para baixo a corrente na região de saturação?

Com Número de transistores de driver paralelo (n), Mobilidade Eletrônica (μ_n), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura de banda (W), Comprimento do canal (L), Tensão da Fonte da Porta (V_GS) & Tensão de limiar (V_T) podemos encontrar Puxe para baixo a corrente na região de saturação usando a fórmula - Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Número de transistores de driver paralelo,(Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido/2)*(Largura de banda/Comprimento do canal)*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão de limiar)^2). Esta fórmula também usa funções Notação de soma (soma).

O Puxe para baixo a corrente na região de saturação pode ser negativo?

Sim, o Puxe para baixo a corrente na região de saturação, medido em Corrente elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Puxe para baixo a corrente na região de saturação?

Puxe para baixo a corrente na região de saturação geralmente é medido usando Ampere[A] para Corrente elétrica. Miliamperes[A], Microampère[A], Centiampere[A] são as poucas outras unidades nas quais Puxe para baixo a corrente na região de saturação pode ser medido.

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Fórmula Puxe para baixo a corrente na região de saturação

Exemplo de Puxe para baixo a corrente na região de saturação

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