FormulaDen.com

Física Química Matemática Engenheiro químico Civil Elétrico Eletrônicos Eletrônica e Instrumentação Ciência de materiais Mecânico Engenharia de Produção Financeiro Saúde

Fórmula Profundidade Máxima de Esgotamento

Fx cópia de

LaTeX cópia de

A profundidade máxima de esgotamento refere-se à extensão máxima até a qual a região de esgotamento se estende para o material semicondutor do dispositivo sob certas condições operacionais. Verifique FAQs

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dm - Profundidade Máxima de Esgotamento?Φ_f - Potencial de Fermi em massa?N_A - Concentração de Dopagem do Aceitante?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?[Charge-e] - Carga do elétron?

Exemplo de Profundidade Máxima de Esgotamento

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Profundidade Máxima de Esgotamento com valores.

Esta é a aparência da equação Profundidade Máxima de Esgotamento com unidades.

Esta é a aparência da equação Profundidade Máxima de Esgotamento.

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.4E+6m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

Calcular

Recalcular

Solução

cópia de

Reiniciar

Você está aqui -

Lar » Category

Engenharia » Category

Eletrônicos » Category

Eletrônica Analógica » fx Profundidade Máxima de Esgotamento

Profundidade Máxima de Esgotamento Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Profundidade Máxima de Esgotamento?

Primeiro passo Considere a fórmula

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Próxima Etapa Avalie

∴

x dm = 7437907.45302539m

Último passo Resposta de arredondamento

∴

x dm = 7.4E+6m

Profundidade Máxima de Esgotamento Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Profundidade Máxima de Esgotamento

A profundidade máxima de esgotamento refere-se à extensão máxima até a qual a região de esgotamento se estende para o material semicondutor do dispositivo sob certas condições operacionais.

Símbolo: x_dm

Medição: ComprimentoUnidade: m

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Profundidade Máxima de Esgotamento

Potencial de Fermi em massa

Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.

Símbolo: Φ_f

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de Fermi em massa

Concentração de Dopagem do Aceitante

A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.

Símbolo: N_A

Medição: Densidade EletrônicaUnidade: electrons/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração de Dopagem do Aceitante

Permissividade do silício

A permissividade do silício mede sua capacidade de armazenar energia elétrica em um campo elétrico, vital na tecnologia de semicondutores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

modulus

O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número.

Sintaxe: modulus

Outras fórmulas na categoria Transistor MOS

Ir Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

C jsw = C j0sw \cdot x j

Ir Capacitância equivalente de junção de sinal grande

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Ir Potencial de Fermi para tipo P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Ir Fator de equivalência de tensão na parede lateral

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Ver mais

Como avaliar Profundidade Máxima de Esgotamento?

O avaliador Profundidade Máxima de Esgotamento usa Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potencial de Fermi em massa))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante)) para avaliar Profundidade Máxima de Esgotamento, A fórmula de Profundidade Máxima de Esgotamento é definida como a extensão máxima até a qual a região de esgotamento se estende para o material semicondutor do dispositivo sob certas condições operacionais. Profundidade Máxima de Esgotamento é denotado pelo símbolo x_dm.

Como avaliar Profundidade Máxima de Esgotamento usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Profundidade Máxima de Esgotamento, insira Potencial de Fermi em massa (Φ_f) & Concentração de Dopagem do Aceitante (N_A) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Profundidade Máxima de Esgotamento

Qual é a fórmula para encontrar Profundidade Máxima de Esgotamento?

A fórmula de Profundidade Máxima de Esgotamento é expressa como Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potencial de Fermi em massa))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante)). Aqui está um exemplo: 7.4E+6 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000)).

Como calcular Profundidade Máxima de Esgotamento?

Com Potencial de Fermi em massa (Φ_f) & Concentração de Dopagem do Aceitante (N_A) podemos encontrar Profundidade Máxima de Esgotamento usando a fórmula - Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potencial de Fermi em massa))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante)). Esta fórmula também usa funções Permissividade do silício, Carga do elétron constante(s) e , Raiz quadrada (sqrt), Módulo (módulo).

O Profundidade Máxima de Esgotamento pode ser negativo?

Não, o Profundidade Máxima de Esgotamento, medido em Comprimento não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Profundidade Máxima de Esgotamento?

Profundidade Máxima de Esgotamento geralmente é medido usando Metro[m] para Comprimento. Milímetro[m], Quilômetro[m], Decímetro[m] são as poucas outras unidades nas quais Profundidade Máxima de Esgotamento pode ser medido.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valor
: Unidade

Fórmula Profundidade Máxima de Esgotamento

Exemplo de Profundidade Máxima de Esgotamento

Profundidade Máxima de Esgotamento Solução

Profundidade Máxima de Esgotamento Fórmula Elementos

Outras fórmulas na categoria Transistor MOS

Como avaliar Profundidade Máxima de Esgotamento?

FAQs sobre Profundidade Máxima de Esgotamento

Variable Name