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Fórmula Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI

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A profundidade de esgotamento da junção Pn com a fonte é definida como a região ao redor de uma junção pn onde os portadores de carga foram esgotados devido à formação de um campo elétrico. Verifique FAQs

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dS - Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte?Ø₀ - Tensão interna de junção?N_A - Concentração do aceitante?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo?[Charge-e] - Carga do elétron?

Exemplo de Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI com valores.

Esta é a aparência da equação Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI com unidades.

Esta é a aparência da equação Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI.

0.3134 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+16}}

0.3134μm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}}

0.3134 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+16}}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI?

Primeiro passo Considere a fórmula

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 0.76V}{[Charge-e] \cdot 1E+161/cm³}}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+221/m³}}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+22}}

Próxima Etapa Avalie

∴

x dS = 3.13423217933622E-07m

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

x dS = 0.313423217933622μm

Último passo Resposta de arredondamento

∴

x dS = 0.3134μm

Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte

A profundidade de esgotamento da junção Pn com a fonte é definida como a região ao redor de uma junção pn onde os portadores de carga foram esgotados devido à formação de um campo elétrico.

Símbolo: x_dS

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte

Tensão interna de junção

A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada.

Símbolo: Ø₀

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão interna de junção

Concentração do aceitante

Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.

Símbolo: N_A

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração do aceitante

Permissividade do silício

A permissividade do silício mede sua capacidade de armazenar energia elétrica em um campo elétrico, vital na tecnologia de semicondutores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

Permissividade do vácuo

A permissividade do vácuo é uma constante física fundamental que descreve a capacidade do vácuo de permitir a transmissão de linhas de campo elétrico.

Símbolo: [Permitivity-vacuum]

Valor: 8.85E-12 F/m

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

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Como avaliar Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI?

O avaliador Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI usa P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante)) para avaliar Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte, A fórmula de profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI é definida como a região ao redor de uma junção pn onde os portadores de carga foram esgotados devido à formação de um campo elétrico. Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte é denotado pelo símbolo x_dS.

Como avaliar Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI, insira Tensão interna de junção (Ø₀) & Concentração do aceitante (N_A) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI

Qual é a fórmula para encontrar Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI?

A fórmula de Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI é expressa como P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante)). Aqui está um exemplo: 313423.2 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*0.76)/([Charge-e]*1E+22)).

Como calcular Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI?

Com Tensão interna de junção (Ø₀) & Concentração do aceitante (N_A) podemos encontrar Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI usando a fórmula - P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante)). Esta fórmula também usa funções Permissividade do silício, Permissividade do vácuo, Carga do elétron constante(s) e Raiz quadrada (sqrt).

O Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI pode ser negativo?

Não, o Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI, medido em Comprimento não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI?

Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI geralmente é medido usando Micrômetro[μm] para Comprimento. Metro[μm], Milímetro[μm], Quilômetro[μm] são as poucas outras unidades nas quais Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI pode ser medido.

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Fórmula Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI

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