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Fórmula Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI

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A profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno é definida como a extensão da região de esgotamento no material semicondutor próximo ao terminal de dreno. Verifique FAQs

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

x_dD - Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno?N_A - Concentração do aceitante?Ø₀ - Tensão interna de junção?V_ds - Drenar para Potencial de Fonte?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo?[Charge-e] - Carga do elétron?

Exemplo de Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI com valores.

Esta é a aparência da equação Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI com unidades.

Esta é a aparência da equação Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI.

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

0.5345μm = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI?

Primeiro passo Considere a fórmula

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+221/m³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+22}) \cdot (0.76 + 1.45)}

Próxima Etapa Avalie

∴

x dD = 5.34466520692296E-07m

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

x dD = 0.534466520692296μm

Último passo Resposta de arredondamento

∴

x dD = 0.5345μm

Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno

A profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno é definida como a extensão da região de esgotamento no material semicondutor próximo ao terminal de dreno.

Símbolo: x_dD

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno

Concentração do aceitante

Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.

Símbolo: N_A

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração do aceitante

Tensão interna de junção

A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada.

Símbolo: Ø₀

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão interna de junção

Drenar para Potencial de Fonte

Dreno para a fonte O potencial é o potencial entre o dreno e a fonte.

Símbolo: V_ds

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Drenar para Potencial de Fonte

Permissividade do silício

A permissividade do silício mede sua capacidade de armazenar energia elétrica em um campo elétrico, vital na tecnologia de semicondutores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

Permissividade do vácuo

A permissividade do vácuo é uma constante física fundamental que descreve a capacidade do vácuo de permitir a transmissão de linhas de campo elétrico.

Símbolo: [Permitivity-vacuum]

Valor: 8.85E-12 F/m

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

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Ir Coeficiente de Efeito Corporal

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

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Como avaliar Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI?

O avaliador Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI usa P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Concentração do aceitante))*(Tensão interna de junção+Drenar para Potencial de Fonte)) para avaliar Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno, A fórmula VLSI de profundidade de esgotamento da junção PN com dreno é definida como a extensão da região de esgotamento no material semicondutor próximo ao terminal de dreno. Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno é denotado pelo símbolo x_dD.

Como avaliar Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI, insira Concentração do aceitante (N_A), Tensão interna de junção (Ø₀) & Drenar para Potencial de Fonte (V_ds) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI

Qual é a fórmula para encontrar Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI?

A fórmula de Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI é expressa como P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Concentração do aceitante))*(Tensão interna de junção+Drenar para Potencial de Fonte)). Aqui está um exemplo: 534466.5 = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45)).

Como calcular Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI?

Com Concentração do aceitante (N_A), Tensão interna de junção (Ø₀) & Drenar para Potencial de Fonte (V_ds) podemos encontrar Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI usando a fórmula - P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Concentração do aceitante))*(Tensão interna de junção+Drenar para Potencial de Fonte)). Esta fórmula também usa funções Permissividade do silício, Permissividade do vácuo, Carga do elétron constante(s) e Raiz quadrada (sqrt).

O Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI pode ser negativo?

Não, o Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI, medido em Comprimento não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI?

Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI geralmente é medido usando Micrômetro[μm] para Comprimento. Metro[μm], Milímetro[μm], Quilômetro[μm] são as poucas outras unidades nas quais Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI pode ser medido.

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Fórmula Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI

Exemplo de Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI

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