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Fórmula Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno

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A região de profundidade de esgotamento do dreno é a região de esgotamento que se forma perto do terminal de dreno quando uma tensão é aplicada ao terminal do portão. Verifique FAQs

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (Φ o + V DS)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dD - Região de profundidade de esgotamento do dreno?Φ_o - Potencial de junção integrado?V_DS - Tensão da fonte de drenagem?N_A - Concentração de Dopagem do Aceitante?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?[Charge-e] - Carga do elétron?

Exemplo de Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno com valores.

Esta é a aparência da equação Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno com unidades.

Esta é a aparência da equação Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno.

7.2E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.2E+7m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.2E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno?

Primeiro passo Considere a fórmula

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (Φ o + V DS)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (2V + 45V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Próxima Etapa Avalie

∴

x dD = 72113188.282716m

Último passo Resposta de arredondamento

∴

x dD = 7.2E+7m

Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Região de profundidade de esgotamento do dreno

A região de profundidade de esgotamento do dreno é a região de esgotamento que se forma perto do terminal de dreno quando uma tensão é aplicada ao terminal do portão.

Símbolo: x_dD

Medição: ComprimentoUnidade: m

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Região de profundidade de esgotamento do dreno

Potencial de junção integrado

Potencial de junção integrado refere-se à diferença de potencial ou tensão que existe em uma junção semicondutora quando ela não está conectada a uma fonte de tensão externa.

Símbolo: Φ_o

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de junção integrado

Tensão da fonte de drenagem

A tensão da fonte de drenagem é a tensão aplicada entre o terminal de drenagem e a fonte.

Símbolo: V_DS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão da fonte de drenagem

Concentração de Dopagem do Aceitante

A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.

Símbolo: N_A

Medição: Densidade EletrônicaUnidade: electrons/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração de Dopagem do Aceitante

Permissividade do silício

A permissividade do silício mede sua capacidade de armazenar energia elétrica em um campo elétrico, vital na tecnologia de semicondutores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

Outras fórmulas na categoria Transistor MOS

Ir Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

C jsw = C j0sw \cdot x j

Ir Capacitância equivalente de junção de sinal grande

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Ir Potencial de Fermi para tipo P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Ir Fator de equivalência de tensão na parede lateral

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Ver mais

Como avaliar Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno?

O avaliador Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno usa Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potencial de junção integrado+Tensão da fonte de drenagem))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante)) para avaliar Região de profundidade de esgotamento do dreno, A fórmula da região de profundidade de esgotamento associada ao dreno é definida como a região de esgotamento que se forma perto do terminal de dreno quando uma tensão é aplicada ao terminal da porta. Região de profundidade de esgotamento do dreno é denotado pelo símbolo x_dD.

Como avaliar Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno, insira Potencial de junção integrado (Φ_o), Tensão da fonte de drenagem (V_DS) & Concentração de Dopagem do Aceitante (N_A) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno

Qual é a fórmula para encontrar Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno?

A fórmula de Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno é expressa como Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potencial de junção integrado+Tensão da fonte de drenagem))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante)). Aqui está um exemplo: 1.6E+7 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(2+45))/([Charge-e]*1320000)).

Como calcular Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno?

Com Potencial de junção integrado (Φ_o), Tensão da fonte de drenagem (V_DS) & Concentração de Dopagem do Aceitante (N_A) podemos encontrar Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno usando a fórmula - Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potencial de junção integrado+Tensão da fonte de drenagem))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante)). Esta fórmula também usa funções Permissividade do silício, Carga do elétron constante(s) e Raiz quadrada (sqrt).

O Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno pode ser negativo?

Não, o Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno, medido em Comprimento não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno?

Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno geralmente é medido usando Metro[m] para Comprimento. Milímetro[m], Quilômetro[m], Decímetro[m] são as poucas outras unidades nas quais Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno pode ser medido.

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