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Fórmula Profundidade da região de esgotamento associada à fonte

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A região de profundidade de esgotamento da fonte é a região de esgotamento formada perto do terminal da fonte quando uma tensão é aplicada ao terminal da porta. Verifique FAQs

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot Φ o}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dS - Região de profundidade de esgotamento da fonte?Φ_o - Potencial de junção integrado?N_A - Concentração de Dopagem do Aceitante?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?[Charge-e] - Carga do elétron?

Exemplo de Profundidade da região de esgotamento associada à fonte

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Profundidade da região de esgotamento associada à fonte com valores.

Esta é a aparência da equação Profundidade da região de esgotamento associada à fonte com unidades.

Esta é a aparência da equação Profundidade da região de esgotamento associada à fonte.

1.5E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

1.5E+7m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

1.5E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Profundidade da região de esgotamento associada à fonte Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Profundidade da região de esgotamento associada à fonte?

Primeiro passo Considere a fórmula

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot Φ o}{[Charge-e] \cdot N A}}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 2V}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Próxima Etapa Avalie

∴

x dS = 14875814.9060508m

Último passo Resposta de arredondamento

∴

x dS = 1.5E+7m

Profundidade da região de esgotamento associada à fonte Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Região de profundidade de esgotamento da fonte

A região de profundidade de esgotamento da fonte é a região de esgotamento formada perto do terminal da fonte quando uma tensão é aplicada ao terminal da porta.

Símbolo: x_dS

Medição: ComprimentoUnidade: m

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Região de profundidade de esgotamento da fonte

Potencial de junção integrado

Potencial de junção integrado refere-se à diferença de potencial ou tensão que existe em uma junção semicondutora quando ela não está conectada a uma fonte de tensão externa.

Símbolo: Φ_o

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de junção integrado

Concentração de Dopagem do Aceitante

A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.

Símbolo: N_A

Medição: Densidade EletrônicaUnidade: electrons/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração de Dopagem do Aceitante

Permissividade do silício

A permissividade do silício mede sua capacidade de armazenar energia elétrica em um campo elétrico, vital na tecnologia de semicondutores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

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Ir Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

C jsw = C j0sw \cdot x j

Ir Capacitância equivalente de junção de sinal grande

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Ir Potencial de Fermi para tipo P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Ir Fator de equivalência de tensão na parede lateral

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

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Como avaliar Profundidade da região de esgotamento associada à fonte?

O avaliador Profundidade da região de esgotamento associada à fonte usa Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de junção integrado)/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante)) para avaliar Região de profundidade de esgotamento da fonte, A fórmula da região de profundidade de esgotamento associada à fonte é definida como A região de esgotamento se forma perto do terminal da fonte quando uma tensão é aplicada ao terminal da porta. Região de profundidade de esgotamento da fonte é denotado pelo símbolo x_dS.

Como avaliar Profundidade da região de esgotamento associada à fonte usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Profundidade da região de esgotamento associada à fonte, insira Potencial de junção integrado (Φ_o) & Concentração de Dopagem do Aceitante (N_A) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Profundidade da região de esgotamento associada à fonte

Qual é a fórmula para encontrar Profundidade da região de esgotamento associada à fonte?

A fórmula de Profundidade da região de esgotamento associada à fonte é expressa como Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de junção integrado)/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante)). Aqui está um exemplo: 1.5E+7 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*1320000)).

Como calcular Profundidade da região de esgotamento associada à fonte?

Com Potencial de junção integrado (Φ_o) & Concentração de Dopagem do Aceitante (N_A) podemos encontrar Profundidade da região de esgotamento associada à fonte usando a fórmula - Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de junção integrado)/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante)). Esta fórmula também usa funções Permissividade do silício, Carga do elétron constante(s) e Raiz quadrada (sqrt).

O Profundidade da região de esgotamento associada à fonte pode ser negativo?

Não, o Profundidade da região de esgotamento associada à fonte, medido em Comprimento não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Profundidade da região de esgotamento associada à fonte?

Profundidade da região de esgotamento associada à fonte geralmente é medido usando Metro[m] para Comprimento. Milímetro[m], Quilômetro[m], Decímetro[m] são as poucas outras unidades nas quais Profundidade da região de esgotamento associada à fonte pode ser medido.

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