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Fórmula Potencial integrado na região de esgotamento

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A tensão incorporada é uma tensão característica que existe em um dispositivo semicondutor. Verifique FAQs

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Φ_B0 - Tensão embutida?N_A - Concentração de Dopagem do Aceitante?Φ_f - Potencial de Fermi em massa?[Charge-e] - Carga do elétron?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?

Exemplo de Potencial integrado na região de esgotamento

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Potencial integrado na região de esgotamento com valores.

Esta é a aparência da equação Potencial integrado na região de esgotamento com unidades.

Esta é a aparência da equação Potencial integrado na região de esgotamento.

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

-1.6E-6V = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Eletrônica Analógica » fx Potencial integrado na região de esgotamento

Potencial integrado na região de esgotamento Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Potencial integrado na região de esgotamento?

Primeiro passo Considere a fórmula

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Próxima Etapa Converter unidades

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

Próxima Etapa Avalie

∴

Φ B0 = -1.57302306783086E-06V

Último passo Resposta de arredondamento

∴

Φ B0 = -1.6E-6V

Potencial integrado na região de esgotamento Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Tensão embutida

A tensão incorporada é uma tensão característica que existe em um dispositivo semicondutor.

Símbolo: Φ_B0

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão embutida

Concentração de Dopagem do Aceitante

A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.

Símbolo: N_A

Medição: Densidade EletrônicaUnidade: electrons/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração de Dopagem do Aceitante

Potencial de Fermi em massa

Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.

Símbolo: Φ_f

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Potencial de Fermi em massa

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

Permissividade do silício

A permissividade do silício mede sua capacidade de armazenar energia elétrica em um campo elétrico, vital na tecnologia de semicondutores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

modulus

O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número.

Sintaxe: modulus

Outras fórmulas na categoria Transistor MOS

Ir Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

C jsw = C j0sw \cdot x j

Ir Capacitância equivalente de junção de sinal grande

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Como avaliar Potencial integrado na região de esgotamento?

O avaliador Potencial integrado na região de esgotamento usa Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(-2*Potencial de Fermi em massa))) para avaliar Tensão embutida, A fórmula do Potencial Construído na Região de Esgotamento é definida como a tensão estabelecida através desta região esgotada quando a junção pn está em equilíbrio térmico. Tensão embutida é denotado pelo símbolo Φ_B0.

Como avaliar Potencial integrado na região de esgotamento usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Potencial integrado na região de esgotamento, insira Concentração de Dopagem do Aceitante (N_A) & Potencial de Fermi em massa (Φ_f) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Potencial integrado na região de esgotamento

Qual é a fórmula para encontrar Potencial integrado na região de esgotamento?

A fórmula de Potencial integrado na região de esgotamento é expressa como Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(-2*Potencial de Fermi em massa))). Aqui está um exemplo: -1.6E-6 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(-2*0.25))).

Como calcular Potencial integrado na região de esgotamento?

Com Concentração de Dopagem do Aceitante (N_A) & Potencial de Fermi em massa (Φ_f) podemos encontrar Potencial integrado na região de esgotamento usando a fórmula - Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(-2*Potencial de Fermi em massa))). Esta fórmula também usa funções Carga do elétron, Permissividade do silício constante(s) e , Raiz quadrada (sqrt), Módulo (módulo).

O Potencial integrado na região de esgotamento pode ser negativo?

Sim, o Potencial integrado na região de esgotamento, medido em Potencial elétrico pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Potencial integrado na região de esgotamento?

Potencial integrado na região de esgotamento geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Potencial integrado na região de esgotamento pode ser medido.

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